以软编程来紧缩V<SUB>T</SUB>分布的斜坡栅技术

摘要

一种通过对各存储单元加以软编程而于内存装置中紧缩门限电压分布曲线的方法,此内存装置包括组成列与行的多个内存存储单元。选择利用了热载流子机制的软编程电压并依序加到字线中的各存储单元。该软编程电压包括小于3伏的斜坡电压V_GS、小于5伏的V_DS及小于0伏的V_sub。该软编程电压施加于小于10微秒的时间周期。该V_T分布被减少至小于2伏的最大宽度。在存储单元被校验已完成擦除及擦除过度校正之后,对内存存储单元施行软编程。

主权项

1.一种在内存装置中紧缩门限电压分布曲线的方法，此内存装置包括多个内存存储单元，每个存储单元具有源极、漏极、浮栅以及控制栅，其中该存储单元构成行与列，以行为字线而以列为位线，该方法包括下列步骤：施加软编程电压至选定的存储单元的漏极、源极及控制栅，其中该软编程电压如下：小于5伏的电压，施加至选定存储单元的漏极；小于0伏的电压，施加至选定存储单元的基底；小于3伏的斜坡电压，施加至选定存储单元的控制栅。