Crystal growth method

摘要

본 발명은 단결정(4)을 포위하는 냉각체(6)를 사용한 CZ 법에 있어서, 인상 속도의 고속화에 대하여 냉각체를 유효하게 기능시켜, 과도한 냉각에 의한 단결정의 균열을 방지하는 동시에 높은 결정질을 확보하는 것을 목적으로 한다. 이것을 실현하기 위해서, 냉각체(6)의 높이를 단결정(4)의 직경의 1.5배 이하로 하고, 또한 단결정(4)의 외주면에 대향하는 냉각체(6)의 내주면의 표면 온도를 500℃ 이하로 한다.