| 主权项 |
1.一种半导体晶片处理方法,系将贴附于固定有晶圆环的晶圆基板之半导体晶片供给至半导体挑取部后,以吸附嘴一个接一个予以挑取者,其特征系:前述晶圆基板至少系由基材、热收缩性黏着剂、及放射线硬化性黏着剂所构成,在将前述晶圆环供给至前述晶片挑取部之前,预先对前述晶圆基板以紫外线等照射,并预先使前述放射线硬化性黏着剂之黏着力减弱,其次,以加热器对热收缩性黏着剂进行热收缩,并进行使其与放射线硬化性黏着剂的半导体晶片之黏着面积缩小之加热处理,其后,将该晶圆环供给至前述晶片挑取部后,以吸附嘴挑取前述半导体晶片。2.一种半导体晶片处理方法,系将贴附于固定有晶圆环的晶圆基板之半导体晶片供给至半导体挑取部后,以吸附嘴一个接一个予以挑取者,其特征系:前述晶圆基板至少系由基材、热收缩性黏着剂、及放射线硬化性黏着剂所构成,在将前述晶圆环供给至前述晶片挑取部之前,预先对前述晶圆基板以紫外线等照射,并预先使前述放射线硬化性黏着剂之黏着力减弱,其次,以加热器对热收缩性黏着剂进行热收缩,并进行使其与放射线硬化性黏着剂的半导体晶片之黏着面积缩小之加热处理,其后,将该晶圆环供给至前述晶片挑取部后,将对应于被挑取的半导体晶片之基材部分以加热器进行点加热处理,进一步使黏着力减弱后,以吸附嘴挑取。3.一种半导体晶片处理装置,具备:晶圆匣,将贴附有半导体晶片之晶圆基板固定于晶圆环后,以一定间距收纳该晶圆;升降装置,用以使该晶圆匣作上下移动;晶圆环搬送机构,系一个接一个搬送被收纳于晶圆区之晶圆环后,将其供给至晶片挑取部,并将挑取半导体晶片后之已使用完之晶圆环运回前述晶圆匣;及一对晶圆环导引件,用以导引由该晶圆环搬送机构所搬送之晶圆环的两侧端部,其特征系:前述晶圆基板至少系由基材、热收缩性黏着剂、及放射线硬化性黏着剂所构成,并设置有:槽部,用以将在前述晶圆区内使用前之晶圆环暂时收纳于前述升降装置之升降部;及加热器,在对应于该槽部之装置的固定部或槽部对前述晶圆基板进行加热处理。4.如申请专利范围第3项之半导体晶片处理装置,其中,在前述晶片挑取部挑取位置之上下侧设置有加热器,以进行对应于被挑取之半导体晶片之热收缩性黏着剂及放射线硬化性黏着剂之点加热处理。图式简单说明:图1系表示本发明之半导体晶片处理装置之一实施形态之部分截面前视图。图2系图1之俯视图。图3系本发明之一实施形态之晶圆环的处理步骤之说明图。图4系继图3之步骤之说明图。图5系表示本发明之半导体晶片处理装置之第2实施形态之处理步骤之说明图。图6系继图5之步骤之说明图。图7系表示本发明之半导体晶片处理装置之第3实施形态之挑取部之说明图。图8系表示本发明之半导体晶片处理装置之第4实施形态之挑取部之说明图。图9(a)系表示晶圆状态之前视图、(b)系(a)之放大前视图,(c)系切割后之状态之放大前视图,(d)系在图3(d)或图5(d)之步骤以加热器加热处理后之状态之放大前视图。 |
