| 主权项 |
1.一种吸氢之合金电极的制造方法,系制造具备有能可逆进行电化学之氢吸存、释放,且至少含稀土族及镍之吸氢合金之吸氢合金电极者;其具备有:将上述吸氢合金的粉末保持于维持在实质上不致引发氢气吸存之温度的氢气环境中的氢气还原步骤;由上述不致引发氢气吸存的温度自然冷却至吸氢合金之平衡氢压与上述氢气环境中之氢压相等的温度后,开始将上述氢气环境抽真空,并一边排放氢气一边冷却至室温的排气步骤;在上述排放氢气且将上述环境冷却至室温后,于该环境中导入选自氩、氮或二氧化碳之至少一种气体,而将该环境回复至常压的常压步骤;及将上述吸氢合金粉末浸渍于含氧化抑制剂的水溶液中的氧化抑制剂浸渍步骤。2.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原步骤系利用将上述吸氢合金粉末保持于维持在实质上不致引发氢气吸存之温度的氢气环境中,俾将存在于该合金粉末表面上的氧化物或氢氧化物予以还原的步骤。3.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氧化抑制剂系由磷酸盐、矽酸盐、次亚磷酸盐、四氢硼酸盐中选择至少1种的盐类。4.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氧化抑制剂于水溶液中的添加量,系相对于吸氢合金质量为1.010-6至5.010-1质量%。5.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,系具备有将上述氢气还原处理步骤前的环境抽真空,并将该环境中的氧予以排气的氧气排气步骤。6.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤系在上述吸氢合金之组织实质上不受热所导致的扩散作用的温度下进行。7.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤系在100℃至500℃之范围内进行。8.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述吸氢合金系MmNi3.1Co0.9A10.4Mn0.6者。9.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤系将上述氢气环境的压力设定成较处理温度中吸氢合金的平衡氢压为低。10.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤中,上述氢气环境的压力系高于大气压,并超过1MPa。11.如申请专利范围第1项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤中,上述氢气环境的压力系0.11至0.51MPa。12.一种吸氢之合金电极的制造方法,系制造具备有能可逆进行电化学之氢吸存、释放,且至少含稀土族及镍之吸氢合金之吸氢合金电极者;其具备有:将上述吸氢合金的粉末保持于维持在实质上不致引起氢气吸存之温度的氢气环境中的氢气还原步骤;将维持在上述温度的氢气环境抽真空而排放氢气的排气步骤;将上述已排放氢气的环境冷却至室温后,于该环境中导入吸附气体,而使上述吸氢合金的粉末表面吸附有吸附气体,同时将该环境回复至常压的吸附步骤。13.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原步骤系利用将上述吸氢合金粉末保持于维持在实质上不致引发氢气吸存之温度的氢气环境中,俾将存在于该合金粉末表面上的氧化物或氢氧化物予以还原的步骤。14.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述吸附气体系由二氧化碳或氮中选择至少一种者。15.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤系在上述吸氮合金之组织实质上不受热所导致的扩散作用的温度下进行。16.如申请专利范围第12项之吸氮之合金电极的制造方法,其中上述氢气还原处理步骤系在100℃至500℃之范围内进行。17.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述吸氢合金系MmNi3.1Co0.9A10.4Mn0.6者。18.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造法,其中上述氢气还原处理步骤系将上述氢气环境的压力设定成较处理温度中吸氢合金的平衡氢压为低。19.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氮气还原处理步骤中,上述氢气环境的压力系高于大气压,并超过1MPa。20.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氢氮还原处理步骤中,上述氢气环境的压力系0.11至0.51MPa。21.如申请专利范围第12项之吸氢之合金电极的制造方法,系具备有将上述氮气还原处理步骤前的环境抽真空,并将该环境中的氧予以排气的氧气排气步骤。22.一种吸氮之合金电极的制造方法,系制造具备有能可逆进行电化学之氢吸存、释放,且至少含稀土族及镍之吸氢合金之吸氢合金电极者;其具备有:将上述吸氢合金的粉末保持于维持在实质上不致引发氢气吸存之温度的氢气环境中,而将存在于该合金粉末表面上的氧化物或氢氧化物予以还原的氢气还原步骤;将维持在上述温度的氢气环境抽真空而排放氢气的排气步骤;将上述已排放氢气的环境冷却至室温后,于该环境中导入氢气或氮气,并将该环境回复至常压的气体导入步骤;及液中的氧化抑制浸渍步骤。23.如申请专利范围第22项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氧化抑制剂系由磷酸盐、矽酸盐、次亚磷酸盐、四氢硼酸盐中选择至少1种的盐类。24.如申请专利范围第22项之吸氢之合金电极的制造方法,其中上述氧化抑制剂系相对吸氢合金质量为1.010-6至5.010-1质量%。25.如申请专利范围第22项之吸氢之合金电极的制造方法,系具备有将上述氢气还原处理步骤前的环境抽真空,并将该环境中的氧予以排气的氧气排气步骤。图式简单说明:第1图系采用由本发明之吸氢合金所成的试验电极而形成的试验电池模式之部分切剖立体示意图。第2图系采用由本发明之吸氢合金所成的电极而形成的硷蓄电池模式之剖面示意图。 |
