| 主权项 |
1.一种电浆处理结构包含: 一个处理室; 一个安置于该处理室之内的电感耦合电浆源,该电 感耦合电浆源包含一个密封进内部的天线。2.如 申请专利范围第1项之结构,更进一步地包含一个 硬式结构外壳包围该封进内部的天线。3.如申请 专利范围第1项之结构,其中该天线是平面的。4.如 申请专利范围第1项之结构,更进一步地包含一个 电介质帽板在该封进内部的天线的第一侧边。5. 如申请专利范围第1项之结构,更进一步地包含一 或更多个匹配网路连接到该封进内部的天线及一 或更多个RF电压源连接到该匹配网路用于供给RF电 源到该封进内部的天线。6.如申请专利范围第1项 之结构,更进一步地包含: 一个夹盘用于握持一个位在该处理室之内的晶圆; 一个第一RF电压源经由一个匹配网路连接到该夹 盘;与 一个移相器连接于用于该夹盘的该第一RF电压源 与一个连接到该天线的第二RF电压源之间。7.如申 请专利范围第2项之结构,更进一步地包含一个传 导性屏蔽包围外壳除了在第一侧边,以防止电浆形 成在该外壳后与其侧邻接。8.如申请专利范围第1 项之结构,更进一步地包含多数多极磁铁位于该处 理室的一个侧墙。9.如申请专利范围第5项之结构, 其中该至少一个RR电压源包含一个主要的电压源 与一或更多个从属电压源连接成一个主仆架构而 有一个移相器位于该主要的电压源与该一或更多 个从属电压源之间。10.如申请专利范围第4项之结 构,其中该电介质帽板被环路(contoured)。11.如申请 专利范围第1项之结构,其中该天线被环路。12.如 申请专利范围第2项之结构,更进一步地包含至少 一个电气传导环位于该外壳该第一侧边。13.如申 请专利范围第1项之结构,其中该天线包含多数个 线圈部份经由一个电容器与一个绝缘子彼此分开 。14.一种电浆处理室包含: 一个电感耦合电浆源连接到该电浆处理室的一个 内部墙壁,该电感耦合电浆源包含: 一个螺旋天线封进于环氧基树脂内部; 一个硬式结构的外壳包围环氧基树脂,其中该环氧 基树脂和天线是密封的;与 一个有多数空穴的电介质帽板,该电介质帽板是位 于邻接该外壳的第一侧边。15.如申请专利范围第 14项之电浆处理室,其中该螺旋天线包含多数引管 延伸经过该电浆处理室的该内部墙壁。16.如申请 专利范围第15项之电浆处理室,更进一步地包含至 少一个匹配网路连接到该多数引管及至少一个RF 电压源连接到该至少一个匹配网路用于供给RF电 源到该螺旋天线。17.如申请专利范围第16项之电 浆处理室,其中该至少一个RR电压源包含一个主要 的电压源与一或更多个从属电压源连接成一个主 仆架构而有一个移相器位于该主要的电压源与该 一或更多个从属电压源之间。18.如申请专利范围 第14项之电浆处理室,其中该电介质帽板被环路( Contoured)。19.如申请专利范围第14项之电浆处理室, 其中该天线被环路。20.如申请专利范围第14项之 电浆处理室,更进一步地包含至少一个电气传导环 位于该外壳该第一侧边。21.如申请专利范围第14 项之电浆处理室,其中该天线包含多数个线圈部份 经由一个电容器与一个绝缘子彼此分开。图式简 单说明: 图1描述一个采用揭露的电浆源的电浆处理室的部 份横断面,部份简要图;和 图2举例说明另一个选择其架构有一个环路的电介 质帽板邻接电浆源; 图3举例说明另一个选择的电浆源实施例用于大区 域电浆; 图4举例说明另一个选择的电浆源实施例其有一个 主从连结于RF电压源之间以用于电浆源与晶圆夹 盘; 图5举例说明另一个选择的电浆源架构其有电气的 传导板在天线外壳的表面; 图6举例说明另一个选择的电浆源架构其有一个环 路天线; 图7举例说明一种用于调整于揭露的电浆源与晶圆 夹盘之间的空间机构; 图8是天线几何形状对于晶圆离子通量分布之效应 图; 图9是天线几何形状对于晶圆离子通量分布之效应 图; 图10是电介质帽板的外形对于晶圆离子通量分布 之效应图; 图11是电气传导板对于晶圆离子通量分布之效应 图;与 图12是室之高度对于晶圆电场,离子通量及离子通 量均匀性之效应图。 |
