发明名称 TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES
摘要 <p>The allows: Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si and variants are used as enhanced powder anode substrates for electrolytic capacitor anodes (sintered powder masses) with dielectric oxide formation at walls of the internal pores.</p>
申请公布号 WO2002064858(A1) 申请公布日期 2002.08.22
申请号 US2002004073 申请日期 2002.02.12
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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