| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备: 基板、 经形成于前述基板之主表面上,而包含介由通道区 域相邻接的源极及汲极区域的半导体膜、 形成于前述通道区域上的闸极绝缘膜以及 形成于前述闸极绝缘膜上,而具有侧壁的闸极电极 ,而 前述闸极绝缘膜包含具有位于较前述闸极电极之 侧壁为外侧的侧壁的延伸部, 前述源极及汲极区域包含有:形成于从前述延伸部 之侧壁相离的前述半导体膜之区域的高浓度不纯 物区域以不纯物之浓度较前述高浓度不纯物区域 相对性为低,而经形成于位置在前述延伸部下的前 述半导体膜之区域的低浓度不纯物区域。2.如申 请专利范围第1项之半导体装置,其中前述延伸部 之侧壁系形成对前述基板之主表面倾斜。3.如申 请专利范围第1项之半导体装置,其中 前述闸极绝缘膜包含从前述延伸部之侧壁延伸至 前述高浓度不纯物区域上的绝缘膜部分, 前述绝缘膜部分之膜厚系较前述闸极绝缘膜之延 伸部膜厚更薄。4.一种液晶显示装置,系具备申请 专利第1项之半导体装置。5.一种半导体装置之制 造方法,系具备: 于基板上形成半导体膜的过程; 于前述半导体膜上形成绝缘膜的过程; 于前述绝缘膜上形成导电体膜的过程; 于前述导电体膜上形成具有侧壁的光阻膜的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由使用蚀刻而部分去除 前述导电体膜,以于较前述光阻膜之侧壁之位置内 侧形成具有侧壁的闸极电极的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由使用蚀刻而去除前述 绝缘膜之一部分,以形成包含具有位于较前述闸极 电极之侧壁外侧的侧壁之延伸部的闸极绝缘膜的 过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由于前述半导体膜植入 不纯物,以于从前述延伸部之侧壁相离的前述半导 体膜之区域,形成源极及汲极区域之高浓度不纯物 区域的过程; 去除前述光阻膜的过程;以及 在去除前述光阻膜的过程之后,藉由以前述闸极电 极作为遮罩并于前述半导体膜内植入不纯物,以位 于前述延伸部下的前述半导体膜之区域中形成不 纯物浓度较前述高浓度不纯物区域为相对性低的 源极及汲极区域之低浓度不纯物区域的过程。6. 如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法, 其中在形成前述闸极绝缘膜的过程中,于将成为前 述高浓度不纯物区域的半导体膜上使具有前述闸 极绝缘膜之延伸部的膜厚更薄的膜厚之绝缘膜部 分残留。7.如申请专利范围第5项之半导体装置制 造方法,其中植入前述低浓度不纯物区域及前述高 浓度不纯物区域的不纯物系n型导电性不纯物, 前述闸极电极、前述闸极绝缘膜及前述源极以及 汲极区域构成n型薄膜场效电晶体, 再具备于形成前述n型薄膜场效电晶体之闸极电极 的过程之前将形成所实施的p型薄膜场效电晶体的 过程,而 形成前述p型薄膜场效电晶体的过程包含: 于前述导电体膜上形成光阻膜的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由部分去除前述导电体 膜,以形成前述p型薄膜场效电晶体之闸极,同时于 将形成前述n型薄膜场效电晶体的区域上使前述导 电体膜残留的过程; 以前述p型薄膜场效电晶体之闸极电极及将形成前 述n型薄膜场效电晶体的区域上所残留的前述导电 体膜作为遮罩,于前述半导体膜中植入p型导电性 不纯物,藉以形成前述p型薄膜场效电晶体之源极 及汲极区域的过程。8.如申请专利范围第5项之半 导体装置之制造方法,其中形成前述闸极绝缘膜的 过程,系按将前述延伸部之侧壁对前述基板之主表 面倾斜之方式形成。9.一种液晶显示装置之制造 方法,系采用申请专利范围第5项之半导体装置之 制造方法者。10.一种半导体装置之制造方法,系具 备: 于基板上形成半导体膜的过程; 于前述半导体膜上形成绝缘膜的过程; 于前述绝缘膜上形成导电体膜的过程; 于前述导电体膜上形成具有侧壁的光阻膜的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由蚀刻而部分去除前述 导电体膜,以于较前述光阻膜之侧壁之位置为内侧 形成具有侧壁的闸极的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由蚀刻而部分去除前述 绝缘膜,以形成包含具有位于较前述闸极电极之侧 壁外侧的侧壁之延伸部的闸极绝缘膜的过程; 去除前述光阻膜的过程; 以前述闸极绝缘膜作为遮罩,藉由于前述半导体膜 中注入不纯物,以于从前述延伸部之侧壁相离的前 述半导体膜之区域形成源极及汲极区域之高浓度 不纯物区域的过程;以及 以前述闸极电极作为遮罩,藉由于前述半导体膜中 注入不纯物,以在位置于前述延伸部下的前述半导 体膜之区域形成不纯物浓度较前述高浓度不纯物 区域相对性为低的源极及汲极区域之低浓度不纯 物区域的过程。11.如申请专利范围第10项之半导 体装置之制造方法,其中 同时进行形成前述高浓度不纯物区域的过程与形 成前述低浓度不纯物区域的过程。12.如申请专利 范围第10项之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述闸极绝缘膜的过程中,于将成为前述高 浓度不纯物区域的半导体膜上,使具有较前述闸极 绝缘膜之延伸部之膜厚更薄的膜厚的绝缘膜部分 残留。13.如申请专利范围第10项之半导体装置之 制造方法,其中 植入前述低浓度不纯物区域及前述高浓度不纯物 区域的不纯物系n型导电性不纯物, 前述闸极电极、前述闸极绝缘膜、前述源极以及 汲极区域构成n型薄膜场效电晶体, 再具备于形成前述n型薄膜场效电晶体之闸极电极 的过程之前形成的实施之p型薄膜场效电晶体的过 程,而形成前述p型薄膜电场电晶体的过程包含: 于前述导电体膜上形成光阻膜的过程; 以前述光阻膜作为遮罩,藉由去除前述导电体膜之 一部分,以形成前述p型薄膜场效电晶体之闸极电 极,同时于将形成前述n型薄膜场效电晶体的区域 上使前述导电体膜残留的过程;以及 以前述p型薄膜场效电晶体之闸极电极及将形成前 述n型薄膜场效电晶体的区域上所残留的前述导电 体膜作为遮罩,藉由于前述半导体膜中注入p型导 电性不纯物,以形成前述p型薄膜场效电晶体之源 极及汲极区域的过程。14.如申请专利范围第10项 之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述闸极绝缘膜的过程中,系将前述延伸部 之侧壁形成相对于前述基板之主表面倾斜。15.一 种液晶显示装置之制造方法,系采用申请专利范围 第10项之半导体装置的制造方法者。图式简单说 明: 第1图为表示本发明液晶显示装置之实施形态1的 剖面模式图。 第2图为第1图所示的液晶显示装置之部分剖面放 大模式图。 第3图至第8图为用以说明第1图及第2图所示的液晶 显示装置之制造方法之第1至第6过程的剖面模式 图。 第9图为用以说明本发明液晶显示装置之实施形态 2制造方法的剖面模式图。 第10图至第14图为用以说明本发明液晶显示装置之 实施形态3制造方法之第1至第5过程的剖面模式图 。 第15图为表示本发明液晶显示装置之实施形态4的 剖面模式图。 第16图为第15图所示的液晶显示装置之部分剖面放 大模式图。 第17图至第21图为用以说明第15图及第16图所示的 液晶显示装置制造方法之第1至第4过程的剖面模 式图。 第22图为用以说明本发明液晶显示装置之实施形 态5制造方法的剖面模式图。 第23图至第25图为用以说明本发明液晶显示装置之 实施形态6制造方法之第1至第3过程的剖面模式图 。 第26图为表示本发明液晶显示装置之实施形态7的 剖面模式图。 第27图为第26图所示液晶显示装置之部分剖面放大 模式图。 第28图至第32图为用以说明第26图及第27图所示液 晶显示装置制造方法之第1至第5过程的剖面模式 图。 第33图为用以说明第29图所示之过程的部分剖面放 大模式图。 第34图为表示n+型不纯物区域3a及n-型不纯物区域4a 的不纯物浓度与所植入的区域之位置间关系的模 式曲线图。 第35图为用以说明本发明实施形态7的液晶显示装 置制造方法之变形例的部分剖面放大模式图。 第36图为利用第35图所示过程所形成的液晶显示装 置之部分剖面放大模式图。 第37图为用以说明本发明之液晶显示装置之实施 形态8之制造方法的剖面模式图。 第38图为用以说明第37图所示过程的液晶显示装置 之部分剖面放大模式图。 第39图为用以说明第37图所示过程的液晶显示装置 之部分剖面放大模式图。 第40图至第42图为用以说明第37图所示液晶显示装 置制造方法之变形例第1至第3过程的剖面模式图 。 第43图为第40图所示液晶显示装置之部分剖面放大 模式图。 第44图为用以说明本发明液晶显示装置实施形态9 之制造方法的剖面模式图。 第45图为表示介由绝缘膜以一定条件植入不纯物 离子的情形之绝缘膜之膜厚与接受不纯物之注入 的区域之片材电阻间的关系模式图。 第46图为用以说明本发明液晶显示装置实施形态10 之制造方法的剖面模式图。 第47图为表示以往之液晶显示装置的剖面模式图 。 第48图至第51图为用以表示第47图所示之以往之液 晶显示装置制造方法之第1至第4过程的剖面模式 图。 第52图为用以说明以往之问题的模式图。 第53图为用以说明以往之问题的模式图。 第54图为用以说明以往之问题的另一模式图。 |
