发明名称 有机金属铜络合物的铜薄膜的化学汽相淀积制备法
摘要 一种有下面结构式的有机金属铜络合物有益地用于用化学汽相淀积法制备金属铜膜,其中R<SUP>1</SUP>和R<SUP>2</SUP>各自是烷基或全氟烷基;R<SUP>3</SUP>是氢、氟或全氟烷基;和R<SUP>4</SUP>到R<SUP>7</SUP>中至少一个是有右下结构式的基团,其中R<SUP>a</SUP>是亚烷基,R<SUP>b</SUP>、R<SUP>c</SUP>和R<SUP>d</SUP>各自是烷基,和M是氧或硫,其余各自是氢或烷基。
申请公布号 CN1363720A 申请公布日期 2002.08.14
申请号 CN01143189.X 申请日期 2001.11.06
申请人 宇部兴产株式会社 发明人 角田巧;高井勉;绵贯耕平
分类号 C23C16/18 主分类号 C23C16/18
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 庞立志;杨丽琴
主权项 1.一种具有下面结构式的有机金属铜络合物:<img file="A0114318900021.GIF" wi="354" he="235" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地代表有1~8个碳原子的烷基或有1~8个碳原子的全氟烷基;R<sup>3</sup>代表氢原子,氟原子,或者有1~8个碳原子的全氟烷基;R<sup>4</sup>到R<sup>7</sup>中至少一个代表有下面结构式的基团:<img file="A0114318900022.GIF" wi="378" he="170" />其中R<sup>a</sup>代表有1~5个碳原子的直链或支链亚烷基,R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自独立地代表有1~5个碳原子的直链或支链烷基,和M是氧原子或硫原子,其余各自独立地代表氢原子或者有1~8个碳原子的直链或支链烷基。
地址 日本山口县