SHALLOW TRENCH ISOLATION ON A SILICON SUBSTRATE USING NITROGEN IMPLANT INTO THE SIDE WALL
摘要
<p>실리콘 기판 상에 테이퍼형 트렌치(tapered trench)를 제조하는 방법으로서, 초기 트렌치를 기판에 형성하는 단계와, 초기 트렌치의 측벽들에 질소 이온을 주입하되 트렌치 바닥에 인접한 부분보다 기판의 노출면에 인접한 부분에 질소 이온을 더 많이 주입하는 단계와, 초기 트렌치의 측벽들을 산화시켜 테이퍼 형상으로 만드는 단계를 포함한다.</p>
