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发明名称 METHOD OF MAKING MOS FET WITHIN IC
摘要
申请公布号 KR950001950(B1) 申请公布日期 1995.03.07
申请号 KR19860006624 申请日期 1986.08.12
申请人 RCA CORP. 发明人 HUSU, SHENG T.
分类号 H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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