| 摘要 |
본 발명에 의하면 휴대 전화 등의 무선 통신, 혹은 광통신 등의 분야에서 사용되는 사용 주파수가 1GHz이상인 고주파대용의 전기 회로로서 매우 적합한, 소형으로, 저전기 저항, 고방열성의 전기 회로 기판을 얻는다. 본 발명은 CuKα선을 사용한 분말 X선 회절에서의 최강선이 2θ=27. 6˚∼28.2˚에 있는 결정, 예를 들면 아노사이트 결정을 포함하여, Zn성분을 산화물 환산으로 0.5∼30질량%, Ti성분 및 Zr성분이 산화물 환산으로 합계 10질량%이하, Pb성분이 산화물 환산으로 5질량%이하인 조성의 결정화 유리와 질화 알루미늄 소결체의 접합체에 관한 것이고, 그 접합체는 상기 조성의 비정질 유리로 되는 층을 질화 알루미늄 소결체상에 형성한 뒤, 그 비정질 유리의 연화점 이상, 예를 들면 600∼1100℃로 가열하고, 또한 그 가열에 의해 결정을 석출시킴으로써 제조한다. |
