发明名称 | 改进电光特性的半导体发光器件及其制作方法 | ||
摘要 | 提供了一种具有垂直于作用区平面发光的谐振腔结构的半导体发光器件及其制作方法。主体具有上部电极窗和氧化层电流孔。谐振光通过窗口和电流孔发射。为了自对准,利用上部电极通过蚀刻形成柱体,从而窗口的中轴和电流孔的中轴可以自动对准。在蚀刻过程中,柱体中包括的预氧化层侧壁暴露,且通过氧化过程使预氧化层水平氧化到距其侧壁特定距离处。通过氧化过程氧化的预氧化层成为高电阻部分,而在氧化过程中未氧化的预氧化层成为电流和光通过的电流孔。如上所述,由于为了自对准利用电极形成柱体,并且通过氧化暴露的柱体侧壁形成电流孔,则电极窗中轴和电流孔中轴自动对准。由于窗口和电流孔精确对准,垂直腔表面发射激光器的电光特性得以提高。 | ||
申请公布号 | CN1360376A | 申请公布日期 | 2002.07.24 |
申请号 | CN01137895.6 | 申请日期 | 2001.11.09 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 张东勋 |
分类号 | H01S5/183;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/183 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李瑞海;王景刚 |
主权项 | 1.一种具有由多个层构成的柱体和柱体上的电极的半导体发光器件,所述多个层包括至少一个位于衬底上的预氧化层,其特征在于,半导体发光器件通过为了自对准而利用电极进行蚀刻形成柱体以及水平氧化预氧化层到距柱体侧壁特定距离处而制造。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |