半导体装置的检查装置以及使用此检查装置的半导体的制造方法

摘要

[课题]实现：于梁保持必要之强度的状态下，可以小型化，能够形成多数的探针之半导体检查装置。[解决手段]配线5b系在梁11上之一面以指定之宽幅横跨梁11之全长而被形成之故，梁11在任意之宽幅方向剖面中，经常成为一定之形状。其结果为：由梁11与配线5b之形状所决定之剖面二次惯量成为一定之故，探针5a接触被测体之焊垫，梁11即使只挠曲指定量，梁11之曲率局部地变化之不良情形可被回避。其结果为：梁11之局部的应力集中被防止，能够避免梁11之破损等之不良情形。因此，能够实现于梁保持必要之强度的状态下，可以小型化，能够形成多数的探针之半导体检查装置。

主权项

1.一种半导体装置的检查装置,其系具有:被支持于矽基板之支持部之复数的两端固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及使此探针与被形成在上述矽基板之二次电极接续之配线,以检查半导体装置之检查装置,其特征为:上述配线系在上述两端固定梁之探针被形成面,延长至此梁的两端的2个支持部为止而被配置着。2.一种半导体装置的检查装置,其系具有:被支持于矽基板之支持部之复数的单边固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及使此探针与被形成在上述矽基板之二次电极接续之配线,以检查半导体装置之检查装置,其特征为:上述配线系被配置于由上述梁的探针被形成之表面透过此表面的里面到达上述二次电极之路径之同时,延长至上述梁的探针被形成之表面的至少上述梁的支持部为止而被配置着。3.一种半导体装置的检查装置,其系具有:被支持于矽基板之支持部之复数的单边固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及使此探针与被形成在上述矽基板之二次电极接续之配线,以检查半导体装置之检查装置,其特征为:上述配线系被配置于由上述梁的探针被形成之表面透过此表面的里面到达上述二次电极之路径之同时,被配置于上述梁的探针被形成之表面以及里面的至少上述梁的支持部附近。4.一种半导体装置的检查装置,其系具有:被支持于矽基板之支持部之复数的单边固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及使此探针与被形成在上述矽基板之二次电极接续之配线,以检查半导体装置之检查装置,其特征为:上述配线系被配置于由上述梁的探针被形成之表面透过此表面的里面到达上述二次电极之路径之同时,与上述配线不同之另外的膜材被配置于上述梁的探针被形成之表面的上述梁的支持部。5.如申请专利范围第1至4项之中的其中一项所记载之半导体装置的检查装置,其中被形成于上述复数的梁之探针的相互距离在100m以下。6.一种半导体装置的制造方法,特征为:具备:对于被形成在晶圆上之多数的LSI或由晶圆被切开为个别片之LSI,上述LSI之特性检查工程;以及上述LSI之初期不良加速筛选检查工程;以及上述LSI之最终性能检查工程之中的至少1个之检查工程,上述检查工程系藉由:具有:被支持在矽基板的支持部之复数的两端固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及接续此探针与被形成在上述矽基板之二次电极之配线,上述配线在上述两端固定之探针被形成之面,延长至此梁的两端之2个的支持部为止地被配置之检查装置而被实行。7.一种半导体装置的制造方法,特征为:具备:对于被形成在晶圆上之多数的LSI或由晶圆被切开为个别片之LSI,上述LSI之特性检查工程;以及上述LSI之初期不良加速筛选检查工程;以及上述LSI之最终性能检查工程之中的至少1个之检查工程,上述检查工程系藉由:具有被支持在矽基板的支持部之复数的单边固定梁;以及被形成于此梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之突起之探针;以及接续此探针与被形成在上述矽基板之二次电极之配线,上述配线被配置于由上述梁的探针被形成之面透过此表面的里面到达上述二次电极之路径之同时,延长至上述梁之探针被形成的表面的至少上述梁的支持部为止而被配置之检查装置而被实行。8.一种半导体装置的检查装置,其特征为:具备:被支持于矽基板的支持部之复数的梁;以及被形成前述梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之探针,连结前述探针与被形成在前述矽基板之二次电极之第一配线与由前述梁横跨前述支持部被形成之第二配线至少被形成在前述梁。9.如申请专利范围第8项记载之半导体装置的检查装置,其中前述梁系两端固定梁,前述第一配线与第二配线至少被形成在具有探针之面,前述第一配线被形成在探针之一面侧,前述第二配线被形成在另一面侧。10.如申请专利范围第8项记载之半导体装置的检查装置,其中前述梁系单边固定梁,前述第一配线至少被形成在具有前述梁的探针之面的相反侧,前述第二配线被形成在具有探针之面侧。11.如申请专利范围第8项记载之半导体装置的检查装置,其中前述梁系单边固定梁,前述第二配线被形成在与检查对象之半导体装置相面对之侧,前述第一配线至少被形成在其它侧。12.一种半导体装置的检查装置,其特征为:具备:被支持于矽基板的支持部之复数的梁;以及被形成前述梁,被接触于检查对象之半导体装置的电极部之探针,连结前述探针与被形成在前述矽基板之二次电极之配线至少经由具有前述梁的探针面之相反侧。图式简单说明:图1系本发明之第1实施形态之半导体检查装置之重要部位放大斜视图。图2(A)、(B)系显示本发明之第1实施形态的探针形成基板的梁的长度方向部份剖面以及由探针形成面所见到之部份平面图。图3系本发明之第2实施形态之半导体检查装置之重要部位放大斜视图。图4系本发明之第2实施形态的探针形成基板的梁的长度方向部份剖面图。图5系本发明之第3实施形态之半导体检查装置之重要部位放大斜视图。图6系本发明之第3实施形态之梁11的长度方向部份剖面图。图7系使图4所示之本发明的第2实施形态的探针接触于指定的被检测体中的焊垫之状态的剖面图。图8系梁的突起之形成部位之宽幅方向剖面图。图9(A)、(B)系显示梁的各尺寸之适当范围之说明图。图10系梁的挠曲与荷重的关系以及习知技术与本发明之比较图。图11系使用探针形成基板所形成之探针构造体的略剖面图。图12系使用探针形成基板所形成之探针构造体之斜视图。图13系将形成本发明之第2实施形态之探针之基板按压于被检测体之适当位置之状态的剖面图。图14系将形成习知技术之探针之基板按压于被检测体之适当位置之状态的剖面图。图15系显示半导体装置之制造方法之概略之流程图。图16系习知技术之探针构造体之略剖面图。图17系显示LSI被形成之样子之晶圆外观图。图18系取出图17所示之LSI之中的1个而放大之外观图。