| 发明名称 | 硅片的制造方法和硅片 | ||
| 摘要 | 具有在气氛气体G中将硅片W热处理,在其内部新形成空位的热处理工序,该热处理工序的上述气氛气体含有比N<SUB>2</SUB>可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。在硅片的制造方法和硅片中,谋求热处理的低温化或短时间化,抑制滑移发生,得到良好的表面粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN1356720A | 申请公布日期 | 2002.07.03 |
| 申请号 | CN01142424.9 | 申请日期 | 2001.11.28 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 | 发明人 | 中田嘉信;白木弘幸 |
| 分类号 | H01L21/322;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/322 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;钟守期 |
| 主权项 | 1.一种硅片的制造方法，其特征在于：具有在气氛气体中热处理硅片，在内部新形成空位的热处理工序，上述热处理工序的上述气氛气体含有比N2可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||