| 主权项 |
1.一种形多成份薄膜之装置,包括:(a)一支撑器用以支撑至少一个基板;以及(b)一沈积/反应容器包括多个区,每个区系藉由一壁与相邻之区分隔,该多个区包括(i)至少两个沈积区,其中每个沈积区之结构及配置,系用以沈积一沈积材料于该至少一个的基板上,以及(ii)至少一个反应区,用以将该至少一个基板上之该沈积材料与一反应物反应;其中该装置之结构及配置,系用以重复的旋转该至少一个的基板,连续的通过该多个区。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中该装置包括至少三个沈积区。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中该装置包括一相同数量的沈积区及反应区。4.根据申请专利范围第1项之装置,其中该沈积区及该反应区系交替的。5.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个该沈积区之结构及配置,系用以沈积一不同的沈积材料。6.根据申请专利范围第1项之装置,其中至少一个的沈积区之结构及配置,系用以将一金属沈积于该基板上。7.根据申请专利范围第1项之装置,其中该装置之结构及配置,系用以与该基板上形成一超导体层。8.根据申请专利范围第7项之装置,其中该装置包括一第一沈积区、一第二沈积区、以及一第三沈积区,其中该第一、第二、第三沈积区沈积不同的金属于该基板上。9.根据申请专利范围第8项之装置,其中该第一沈积区包括一钇来源,该第二沈积区包括一钡来源,以及该第三沈积区包括一铜来源。10.根据申请专利范围第1项之装置,其中该至少一个的反应区之结构及配置,系用以氧化于该至少两沈积区中所沈积之该沈积材料。11.根据申请专利范围第1项之装置,其中该反应物包括一氧化剂。12.根据申请专利范围第1项之装置,其中该支撑器系可旋转的。13.根据申请专利范围第1项之装置,其中该支撑器之结构及配置,系用以支撑至少一个第一基板以及至少一个第二基板,该第一基板及第二基板具有不同的侧向尺寸。14.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个沈积区包括一监测装置,用以监测于该沈积区中沈积材料之通量。15.一种形多成份薄膜之装置,包括:(a)一支撑器用以支撑至少一个基板;以及(b)一沈积/反应容器包括多个交替的沈积与反应区,每个沈积区系藉由一壁与相邻之沈积及反应区分隔,其中每个沈积区的结构及配置,系用以于该至少一个的基板上沈积不同的沈积材料,且每个反应区的结构及配置,系用以将沈积于该基板上之该沈积材料与一反应物反应;其中该装置之结构及配置,系用以重复的旋转该至少一个的基板,连续的通过该多个交替的沈积与反应区。16.一种形多成份薄膜之方法,包括:将该基板安置于一支撑器中,且将该支撑器安置于一沈积/反应容器中,该容器包括多个区,每个区系藉由一壁与相邻之区分隔,该多个区包括至少两个沈积区及至少一个反应区;重复的旋转该基板通过该多个区;于每个沈积区中,将一沈积材料沈积于该基板上;以及于每个反应区中,将该基板上之该沈积材料与一反应物反应。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中将该基板安置于一支撑器中,包括将一基板安置于一支撑器中,且将该支撑器安置于一沈积/反应容器中,该容器包括多个区,每个区系藉由一壁与相邻之区分隔,该多个区包括相同数目之交替的沈积区及反应区。18.根据申请专利范围第16项之方法,其中沈积一沈积材料,包括于每一沈积区中,将不同的沈积材料沈积于该基板上。19.根据申请专利范围第16项之方法,其中该沈积材料的反应,包括氧化该沈积材料。20.根据申请专利范围第16项之方法,其中该沈积材料的反应,包括该沈积材料与一反应物反应,以形成一超导体材料。图式简单说明:图1系根据本发明,用以沈积薄膜之装置之一第一实施例之示意横剖面视图;图2系图1之该装置之部分透视视图;图3系用于图1之该装置中之一基板支撑器之一第一实施例之示意上视图;图4系用于图1之该装置中之一基板支撑器之一第二实施例之示意上视图;图5A系用于图1之该装置中之一基板支撑器之一第三实施例之示意上视图;图5B系用于图1之该装置中之一基板支撑器之一第四实施例之示意上视图;图6系用以沈积薄膜之先前技术装置之示意图;图7系根据本发明用以沈积薄膜之一装置之一第二实施例之示意透视图;图8系用于图7之该装置中之一基板支撑器之一实施例之一示意下视图,显示反应及沈积区关于该基板支撑器于某一时间点上的位置。图9系根据本发明用以沈积薄膜之一装置之一第三实施例之一示意的横剖面视图;以及图10系为一图形,显示压力对反应序列蒸发以及反应的共蒸发的相依性。 |
