| 主权项 |
1.一种无接触性处理半导体晶圆之方法,包含放置基板于至少部分包封基板之一设备中并由彼置相对之第一及第二侧区于相反方向施加二气流至半导体基板之二相对侧,其中半导体基板之第一及第二侧区各间距定为至多2mm,且至少侧区之加热至200℃以上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中侧区向相对彼此移动,半导体基板以较低温引入相隔较远之二侧区间,之后侧区彼此相向移动。3.如申请专利范围第2项之方法,其中以机械辅助装置支承基板于开始位置。4.如申请专利范围第1项之方法,其中基板受到转动。5.如申请专利范围第1项之方法,其中气流至少之一包含处理气体。6.如申请专利范围第5项之方法,其中包封设备之第一侧区至第一温度,而与第一侧区相对之第二侧区至第二较低温度,且由第二侧区供应处理性气体。7.如申请专利范围第6项之方法,其中第一与第二侧区间温差定为至少150℃。8.如申请专利范围第7项之方法,其中第一与第二侧区间温差定为至少200℃。9.如申请专利范围第1至8项中任一项之方法,其中供应处理气体均匀分布于受处理半导体基板之表面上。10.如申请专利范围第6项之方法,其中控制气流使基板自侧区间中点移动。11.如申请专利范围第6项之方法,其中使用对第一侧区及第二侧区具7个热传之气体。12.一种无接触性处理半导体晶圆基板之设备,包含一包封部,包封部具至少第一及第二侧区以容纳半导体基板于之间,其中第一与第二侧区间隙至多为2mm,较佳为0.1至1mm,且至少侧区之一具加热机构供加热侧区至250℃以上。13.如申请专利范围第12项之设备,其中侧区可相对彼此移动。14.如申请专利范围第12项之设备,其中当侧区位置向外带时,出现有效之支承机构。15.如申请专利范围第12至14项中任一项之设备,其中至少侧区之一具许多馈气通道分布于侧区之长度。16.如申请专利范围第15项之设备,其中多数馈气通道包含一多孔板。图式简单说明:图1显示根据本发明之设备定位于引入半道体基板之位置;图2显示半导体基板引入后设备部分;及图3显示根据本发明图1及2欲用于设备之半导体基板加热速率。 |
