薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。

主权项

1.一种薄膜晶体管，在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，其特征在于：该半导体层的截面具有顺圆锥形状，该半导体层的上方与侧方被栅极绝缘膜覆盖，该栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设该半导体层的上方的膜厚为A、设该半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。