| 摘要 |
<P>L'invention concerne un commutateur bidirectionnel formé dans un substrat semiconducteur (1) de type N, comprenant un premier thyristor vertical principal (Th1) dont la couche de face arrière (2) est du deuxième type de conductivité, un deuxième thyristor vertical principal (Th2) dont la couche de face arrière (6) est du premier type de conductivité, une région périphérique (7) du deuxième type de conductivité s'étendant de la face avant à la face arrière, une première métallisation (M1) recouvrant la face arrière, une deuxième métallisation (M2) du côté de la face avant reliant les couches de face avant des premier et deuxième thyristor, et une région de gâchette (27) du premier type de conductivité dans une partie de la surface supérieure de la région périphérique.</P>
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