| 发明名称 |
Herstellung von GaAs Bauelementen mit dotierten Gebieten und dadurch hergestellte Bauelemente |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69232213(T2) |
申请公布日期 |
2002.06.27 |
| 申请号 |
DE1992632213T |
申请日期 |
1992.02.21 |
| 申请人 |
AT & T CORP., NEW YORK |
发明人 |
ABERNATHY, CAMMY RENEE;REN, FAN |
| 分类号 |
H01L21/203;H01L21/205;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/205;C30B25/02 |
主分类号 |
H01L21/203 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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