| 主权项 |
1.一种用来处理一基材的电浆处理设备,其包含:一处理室,其至少一部分是由一壁所界定,一电浆被点燃及维持于该处理室内以进行该处理;一磁性阵列,其具有多个磁性件其被设置在该处理室的周边附近,该等磁性件被建构成可产生一磁场,该磁场可建立多个交点(cusp)图案于该壁上;及一用来相对于该壁改变该交点图案的装置,其被连接于该等磁性件与该处理室之间。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包括一在该处理室内的夹头用来将该基材支撑于该处理室内。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该磁场具有方位角对称的径向梯度。4.如申请专利范围第3项所述之设备,其中该等磁性件为永久磁铁。5.如申请专利范围第3项所述之设备,其中该等磁性件为电磁铁。6.如申请专利范围第3项所述之设备,其中该用来改变该交点图案的装置持续地改变在该壁上的交点图案。7.如申请专利范围第3项所述之设备,其中该用来改变该交点图案的装置渐增地改变在该壁上的交点图案。8.如申请专利范围第3项所述之设备,其中该用来改变该交点图案的装置包含一移动至少一磁性件的装置。9.如申请专利范围第8项所述之设备,其中该移动至少一磁性件的装置包含一个别地移动多个磁性件的装置。10.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该移动多个磁性件的装置包含一以交替方式旋转多个磁性件的装置。11.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该移动多个磁性件的装置包含一以相同方向的方式旋转该等磁性件的装置。12.如申请专利范围第8项所述之设备,其中该移动至少一磁性件的装置包含一将该阵列当作一单元体相对于该处理室移动的装置。13.如申请专利范围第12项所述之设备,其中该移动该磁性阵列的装置包含将该阵列绕着该室旋转的装置。14.如申请专利范围第12项所述之设备,其中该移动该磁性阵列的装置包含将该阵列移度靠近及远离该室的装置。15.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该改变该交点图案的装置包含一移动至少一部分该室壁于该磁场中的装置。16.如申请专利范围第15项所述之设备,其中该移动至少一部分的室壁的装置包含一旋转该室壁于该磁场中的装置。17.如申请专利范围第15项所述之设备,其中该移动至少一部分的室壁的装置包含该室壁的一部分的装置,该室壁部分为一内室壁其形成一衬里。18.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该改变该交点图案的装置包含一移动一磁通量板的至少一部分于该磁场中的装置。19.一种在一处理室中处理一基材时使用一电浆强化处理来控制一电浆的方法,该室至少部分是由一壁所界定,该方法包含:用以磁性阵列产生一磁场于该处理室中,该磁场建立一磁交点图案于该壁上;偏移在该壁上的交点图案;产生并维持一电浆于该处理室内的一电浆区域中;及将该电浆局限在一体积,该体积至少部分是由该壁及该磁场所界定。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其更包含将该基材安装于一夹头上的步骤,使得该基材位在该电浆区域内。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该磁场具有一方位角对称的径向梯度。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该产生该磁场的步骤包含提供多个被设置在该壁周围的磁性件的步骤,及其中该偏移该交点图案的步骤包含移动至少一磁性件的步骤。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该移动至少一磁性件的步骤包含个别地旋转多个磁性件于交替的方向上的步骤。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该移动至少一磁性件的步骤包含个别地旋转多个磁性件于相同的方向上的步骤。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该移动至少一磁性件的步骤包含将多个磁性件当作一单一的阵列绕着该室旋转的步骤。26.如申请专利范围第21项所述之方法,其中偏移该交点图案的步骤包括移动至少一部分的室壁的步骤。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中偏移该交点图案的步骤包括移动至少一部分的磁通量板的步骤。图式简单说明:第1图显示一电浆处理所使用之前技的电感式电浆处理反应器。第2图显示一依据本发明的一实施例之使用一活动式的磁性阵列的电感式电浆处理反应器。第3A图显示第2图的一部分剖面图。第3B图显示第3A图中之设备在磁性件已被旋转的情形。第3C图显示第3A图中之设备在磁性件已被旋转的情形。第3D图显示本发明的另一实施例。第4图显示本发明的另一实施例,其使用一分离的内室壁。第5图为可使用在本发明的实施例中之一电磁铁系统的示意图。第6图为使用在本发明的另一实施例中之电感式电浆处理反应器。 |
