| 摘要 |
<p>모스 트랜지스터 형성방법이 제공된다. 제1 도전형의 반도체기판의 소정영역 상에 게이트 패턴이 형성되고, 게이트 패턴의 양 옆의 반도체기판에 제2 도전형의 불순물 영역이 형성된다. 게이트 패턴의 측벽에 스페이서가 형성된다. 불순물 영역의 표면 및 스페이서의 하부측벽은 제2 도전형의 패드에 의해 덮여진다. 게이트 패턴, 스페이서 및 패드를 덮는 층간절연막이 형성된다. 층간절연막 내에 패드를 노출시키는 금속콘택홀이 형성된다. 따라서, 제2 도전형의 불순물 영역이 얕을지라도 금속콘택홀을 형성하는 동안 패드에 의해 반도체기판이 노출되는 현상을 방지할 수 있다.</p> |
