| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung offenbart eine Überstrom-Erfassungseinrichtung, mit der Überströme, die zu einer Zerstörung von abschaltbare Halbleiterbauelementen führen könnten, schnell und zuverlässig gemessen und dadurch die Zerstörung des Halbleiterbauelemente verhindert werden kann, ohne dass Gesamtströme im kA-Bereich gemessen werden müssen. Dazu wird in einer Parallelschaltung aus einem abschaltbaren Mess-Halbleiterbauelement (TM1, TM2) und mindestens einem abschaltbaren lasttragenden Halbleiterbauelement (TL1, TL2) im Strommesspfad eine Strommesseinrichtung (1) ausgebildet. Zudem ist antiparallel zum abschaltbaren lasttragenden Halbleiterbauelement (TL1, TL2) eine Freilaufdiode (DL1, DL2) ausgebildet. Als zwei alternative Ausführungsformen umfasst die erfindungsgemässe Überstrom-Erfassungseinrichtung entweder einen Nebenschlusswiderstand (RS) mit einem Sättigungstransistor als Basisverstärker bzw. einen Nebenschlusswiderstand (RS) mit einem Emitterfolger. Hierzu ist im mindestens einen Lastzweig parallel zum abschaltbaren lasttragenden Halbleiterbauelement jeweils das abschaltbare Mess-Halbleiterbauelement (TM1, TM2) ausgebildet, mit dessen Emitter der Nebenschlusswiderstand (RS) verbunden ist. Zwischen dem Emitter des abschaltbaren Mess-Halbleiterbauelements (TM1, TM2) und dem Nebenschlusswiderstand (RS) ist entweder die Basis eines Bipolartransistors (T3, T4) oder der Emitter eines Bipolartransistors angeschlossen. Auf diese Weise wird eine Verschaltung mit einem Sättigungstransistor als Basisverstärker oder mit Emitterfolger verwirklicht, durch die eine verzögerungsfreie Messung mit geringerer Belastung des abschaltbaren Mess-Halbleiterbauelements und verringertem Einfluss von Rauschen ermöglicht wird. <IMAGE></p> |
