| 主权项 |
1.一种保护浅沟槽隔离物之方法,适用于一半导体基底,其上具有一垫氧化层、一硬罩幕层及一浅沟槽,包括下列步骤:利用热氧化法于该浅沟槽内成长一内衬热氧化层;去除该内衬热氧化层及部分该垫氧化层;于该半导体基底上形成一抗湿蚀刻之薄膜层;以及沈积一隔离物以填入该浅沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括下列步骤:利用平坦化制程去除该硬罩幕层上之部分该隔离物及部分该抗湿蚀刻之薄膜层;以及去除该硬罩幕层及该垫氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该平坦化制程是为化学机械研磨制程。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该浅沟槽隔离物系为氧化物。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该抗湿蚀刻之薄膜层系对于氢氟酸具有较低之蚀刻率。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,形成该抗湿蚀刻之薄膜层系藉由低压化学气相沉积制程来施行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该抗湿蚀刻之薄膜层系由氮化矽层及氮氧化矽层中选用。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,去除该内衬热氧化层及部分该垫氧化层系藉由湿蚀刻制程来施行。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,去除该内衬热氧化层及部分该垫氧化层系使用氢氟酸来蚀刻去除。10.一种保护浅沟槽隔离物的结构,适用于一半导体基底,其上具有一浅沟槽,包括:一抗湿蚀刻之薄膜层,位于该浅沟槽内表面上且沿着该半导体基底表面形成凸出部用以抵抗湿蚀刻剂之侵入;以及一隔离物,位于该抗湿蚀刻之薄膜层上,作为该浅沟槽之隔离物。11.如申请专利范围第10项所述之结构,其中,该浅沟槽隔离物系为氧化物。12.如申请专利范围第10项所述之结构,其中,该抗湿蚀刻之薄膜层系对于氢氟酸具有较低之蚀刻率。13.如申请专利范围第10项所述之结构,其中,该抗湿蚀刻之薄膜层系由氮化矽层及氮氧化矽层中选用。图式简单说明:第1图系显示习知的浅沟槽隔离方法在沟槽隔离和基底之间出现缺陷之示意图。第2A-2F图系为依据本发明之保护浅沟槽隔离物之方法之制程剖面图。 |
