| 摘要 |
<p>본 발명은 이중 게이트 산화막 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 본 발명에 따른 반도체 소자는 반도체 기판상에 일정 폭을 갖고 형성된 제 1 게이트 산화막, 상기 제 1 게이트 산화막상에 하측 모서리 영역이 돌출되어 둥글게 형성된 게이트 전극, 상기 제 1 게이트 산화막의 양측면과 상기 게이트 전극의 하측 모서리 영역에 접하여 형성된 제 2 게이트 산화막, 상기 게이트 전극의 양측면에 접하고 상기 제 2 게이트 산화막상에 형성된 질화막 측벽, 상기 제 1 게이트 산화막 하측의 반도체 기판 표면내에 형성된 LDD 구조의 소오스/드레인 영역을 포함하여 이루어진다.</p> |
