| 主权项 |
1.一种金氧半场效电晶体的制作方法,适于砷化镓金氧半场效电晶体的制作,该金氧半场效电晶体的制作方法,至少包括:提供一基底,该基底上具有一缓冲层与一通道层;以液相沈积法形成一闸极氧化层于该通道层上;于该基底上定义一主动区域;形成一源极电极与一汲极电极于该基底上;以及形成一闸极于该闸极氧化层上。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该缓冲层之材质包括无掺杂之砷化镓。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该通道层之材质包括n型掺杂之砷化镓。4.如申请专利范围第3项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该通道层之n型掺杂浓度约为51016cm-3。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该主动区的定义系以微影蚀刻技术将部分的该缓冲层与该通道层移除,以形成岛状平台之主动区。6.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该源极电极与该汲极电极的形成方法包括:以一光罩定义该源极电极与该汲极电极之位置,并将该源极电极与该汲极电极位置上之闸极氧化层移除;以及蒸镀一金/锗/镍合金,以作为该源极电极与该汲极电极。7.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,在形成该源极电极与该汲极电极之后,更包括一退火的步骤,以使该源极电极、该汲极电极与该基底之间具有良好的欧姆接触。8.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该闸极之材质包括金/锗/镍合金或铝金属。9.如申请专利范围第1项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该闸极之厚度约为1000。10.一种金氧半场效电晶体的制作方法,适于砷化镓金氧半场效电晶体的制作,该金氧半场效电晶体的制作方法,至少包括:提供一基底,该基底上具有一缓冲层与一通道层;于该基底上定义一主动区域;形成一源极电极与一汲极电极于该基底上;以液相沈积法形成一闸极氧化层于该通道层上;以及形成一闸极于该闸极氧化层上。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该缓冲层之材质包括无掺杂之砷化镓。12.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该通道层之材质包括n型掺杂之砷化镓。13.如申请专利范围第12项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该通道层之n型掺杂浓度约为51016cm-3。14.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该主动区的定义系以微影蚀刻技术将部分的该缓冲层与该通道层移除,以形成岛状平台之主动区。15.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该源极电极与该汲极电极的形成方法包括以一光罩定义该源极电极与该汲极电极之位置,再蒸镀一金/锗/镍合金,以作为该源极电极与该汲极电极。16.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,在形成该源极电极与该汲极电极之后,更包括一退火的步骤,以使该源极电极、该汲极电极与该基底之间具有良好的欧姆接触。17.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该闸极之材质包括金/锗/镍合金或铝金属。18.如申请专利范围第10项所述之金氧半场效电晶体的制作方法,其中该闸极之厚度约为1000。图式简单说明:第1图绘示为依照本发明一较佳实施例中二氧化矽成长系统之示意图;第2图绘示为依照本发明一较佳实施例以二氧化矽成长系统进行二氧化矽成长之流程图;第3图至第5图绘示为依照本发明一较佳实施例金氧半场效电晶体的制作流程剖面图;第6A图绘示为液相沈积法所形成厚度为35之二氧化矽层在金氧半(MOS)电容结构中所测量的电容-电压(C-V)关系图;第6B图绘示为液相沈积法所形成二氧化矽层厚度为70的条件下,其电流-电压(I-V)的线图;第7A图绘示为以液相沈积法形成厚度165的氧化层作为闸极氧化层,元件电流-电压的特性曲线。而第7B图则绘示为元件的转移电导;第8A图绘示为以液相沈积法形成厚度40的氧化层作为闸极氧化层,元件电流-电压的特性曲线。而第8B图则绘示为元件的转移电导;第9图绘示为转移电导个对闸极氧化层厚度的关系曲线图;以及第10图绘示为氧化层厚度与元件微波特性的关系图。 |
