发明名称 主动矩阵型显示基板之检查方法
摘要 本发明系连接第1检查电路于行列基板,对于扫描线驱动电路供应要使行列基板上之所有薄膜电晶体成接通(ON)状态用之信号,而对于信号线驱动电路以藉信号线施加所定之电压来供应所定之电压给予辅助电容电极,并以该状态下,施加可形成辅助电容形成时以上之电位差的高电压于辅助电容线。
申请公布号 TW489231 申请公布日期 2002.06.01
申请号 TW088116427 申请日期 1999.09.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 富田晓
分类号 G02F1/13;G01N27/00;G01R31/02;G09F9/00;G09F9/30 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种主动矩阵型显示基板之检查方法,主要具备 有: 配置成矩阵状之像素电极;沿着该等像素电极之行 所配置之复数扫描线;沿着前述扫描线所配置而要 施加第1电压的复数辅助电容线;沿着前述像素电 极之列所形成而要施加第2电压和较前述第2电压 更高之第3电压间之电压的复数信号线;配置于前 述扫描线和前述信号线之交点附近且选择性地来 施加所施加于前述信号线的前述电压于前述像素 电极用的复数之开关元件;及在于每各像素电极, 藉绝缘膜来成对向配置于前述辅助电容线且与前 述像素电极成电性连接的辅助电容电极,其特征为 : 具备有,将要被连接于复数条之前述扫描线的开关 元件做成导电状态,且以设定前述辅助电容线和前 述辅助电容电极间之电位差成为与前述第1电压和 前述电压的最大电位差实质地成相等或更大之状 态下,维持施加电压所定时间的过程, 且在于前述电压施加之过程后,具备有侦测前述过 程后之前述开关元件之特性或前述辅助电容线和 前述辅助电容电极之实质性的短路用之检查过程 。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示基板 之检查方法,其中前述开关元件系包含做为活性( 主动)层而被再结晶化之第1矽半导体膜的薄膜电 晶体,且前述辅助电容电极系由与前述第1矽半导 体膜同一过程所制成之第2矽半导体膜所形成。3. 如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示基板之检 查方法,其中前述第1及第2之矽半导体膜为多晶矽 膜。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示基 板之检查方法,其中前述基板乃包含有要被连接于 前述信号线的信号线驱动电路,及要被连接于前述 扫描线之扫描线驱动电路。5.如申请专利范围第1 项之主动矩阵型显示基板之检查方法,其中前述电 压施加过程,将施加前述第2电压于前述信号线之 同时,施加较前述第1电压更高之第4电压于前述辅 助电容线。6.如申请专利范围第1项之主动矩阵型 显示基板之检查方法,其中在于前述电压施加过程 之前述辅助电容线和前述辅助电容电极之间的前 述电位差乃较20V(伏特)小。7.如申请专利范围第1 项之主动矩阵型显示基板之检查方法,其中包括有 当在前述检查过程后,侦测有前述辅助电容线和前 述辅助电容电极的实质性之短路时,就将前述辅助 电容电极和所对应之前述像素电极予以电性切断 的修复过程。图式简单说明: 图1系概略地显示将适用本发明之基板检查方法的 主动矩阵型液晶显示装置之结构图。 图2系概略地显示图1所示之主动矩阵型液晶显示 装置的一像素区域之平面图。 图3系放大包含图2所示之主动矩阵型液晶显示装 置的连结配线之区域的放大平面图。 图4系概略地显示沿着图3中之一点链线A-B-C-D所切 断之断面的剖面图。 图5系要说明用以施加高电压于本发明的基板之检 查方法中之辅助电容线和辅助电容电极间用之过 程的图。 图6显示扫描线驱动电路的概略性结构图。 图7系显示在图5所示之过程中,依据从第1检查电路 所供予于扫描线驱动电路之信号来驱动扫描线的 时序图。 图8系用于要进行测定本发明之基板之检查方法的 缺陷数量用之电路图。
地址 日本