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<p>칩들의 동일 컬럼 내에서도 빔유동량(beam drift)을 정정함으로써 개선된 노출 정밀도를 가지는 전자빔 리소그래피 방법 및 시스템과, 정밀도의 저하를 일으키지 않고도 빔유동량을 최소가 되게 정정하는 빈도를 가지는 전자빔 리소그래피 시스템이 개시된다. 전자빔 리소그래피 방법과 전자빔 리소그래피 시스템에 있어서, 빔유동량은 자주 측정된다. 칩들의 각 컬럼을 노출하는 동안 빔유동량이 측정될 때, 위치 편차는 동시에 정정되지 않고 복수의 스트라이프(stripe)가 한정되는 동안 단계별로 정정된다.이리하여, 인접 스트라이프 사이의 오정렬이 더 크게 되는 것이 방지된다. 더욱이, 빔유동량은 빔유동량의 변화를 측정하기 위하여 복수 회 측정된다. 만약 빔유동량이 작다면, 측정 간격은 길어진다. 만약 빔유동량이 크다면, 측정 간격은 짧아진다.</p> |
