| 主权项 |
1.一种可挠性印刷电路基板用轧制铜箔,其特征在于,氧在10重量ppm以下,以下式定义之T介于4-34的范围间:T=0.60[Bi]+0.55[Pb]+0.60[Sb]+0.64[Se]+1.36[S]+0.32[As]+0.09[Fe]+0.02[Ni]+0.76[Te]+0.48[Sn]+0.16[Ag]+1.24[P](其中,[i]为元素i之重量ppm浓度);上述各元素之浓度系于下述之范围内:[Bi]<5,[Pb]<10,[Sb]<5,[Se]<5,[S]<15,[As]<5,[Fe]<20,[Ni]<20,[Te]<5,[Sn]<20,[Ag]<50,[P]<15(其中,[i]为元素i之重量ppm浓度);又,其厚度系5-50m,具有120-150℃之半软化温度,于30℃可持续保持300N/mm2以上之拉伸强度,并具有优异之弯曲性与适度的软化特性。2.如申请专利范围第1项之可挠性印刷电路基板用轧制铜箔,其中,Ti,Zr,Hf,V,Ta,B,Ca以及Nb各成分之中一种以上之合计量为20重量ppm以下。3.如申请专利范围第1项或第2项之可挠性印刷电路基板用轧制铜箔,其中,以200℃进行30分钟退火后之轧制面的X射线绕射所求出之(200)面的强度(I),相对于以细粉末铜之X射线绕射所求出之(200)面的强度(Io),系满足I/Io>20.0的关系。4.一种可挠性印刷电路基板用轧制铜箔之制造方法,系用以制造申请专利范围第1.2.3项中任一项之可挠性印刷电路基板用轧制铜箔,其特征在于,系以热轧铜锭之后反覆地进行冷轧与退火、最后进行冷轧来加工成铜箔的制程进行制造;最后冷轧前的退火系于使得此退火所获得之再结晶粒之平均粒径成为20m的条件下进行,并使得最后冷轧之加工度成为超过90.0%的値,来获得具有优异之弯曲性与适度之软化特性的轧制铜箔。图式简单说明:图1系为进行弯曲疲劳寿命测定所使用之弯曲试验说明图。图2系显示本发明例、比较例与半软化温度关系之图表。 |
