| 主权项 |
1.一种在于分闸快闪记忆体中制作方形复晶矽间隙壁之方法,该方法至少包含下列步骤:沈积复晶矽层于欲制作分闸快闪记忆体结构之上;形成一牺牲层于该复晶矽层之上;去除覆盖于该分闸快闪记忆体结构之悬浮闸极上端之牺牲层,保留位于侧壁上之牺牲层;蚀刻上述复晶矽层;蚀刻去除全部牺牲层,用以暴露其下之该复晶矽层;及蚀刻上述残余复晶矽层以定义出近似方形间隙壁。2.如申请专利范围第1项之在于分闸快闪记忆体中制作方形复晶矽间隙壁之方法,其中上述之牺牲层包含氧化层。3.如申请专利范围第2项之在于分闸快闪记忆体中制作方形复晶矽间隙壁之方法,其中上述之氧化层系利用热氧化法形成。4.如申请专利范围第1项之在于分闸快闪记忆体中制作方形复晶矽间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用HF溶液去除。5.如申请专利范围第1项之在于分闸快闪记忆体中制作方形复晶矽间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用BOE溶液去除。6.一种在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,该方法至少包含下列步骤:形成隧穿氧化层于该半导体基板上;形成复晶矽层于该隧穿氧化层之上;形成罩幕层于该复晶矽层之上;形成绝缘材质于该罩幕层中并于该复晶矽层之上;去除该罩幕层及定义出悬浮闸极;形成绝缘间隙壁于该悬浮闸极及该绝缘材质之侧壁;形成源极于该基板之中,邻近该悬浮闸极;形成导电插塞于该悬浮闸极以及该绝缘材质之间;形成绝缘结构于该导电插塞上端;沈积复晶矽层上述导电矽插塞、该悬浮闸极以及该绝缘结构之上;形成一牺牲层于该复晶矽层之上;去除覆盖于该悬浮闸极上端之牺牲层,保留位于侧壁上之牺牲层;蚀刻上述复晶矽层;蚀刻去除全部牺牲层,用以暴露其下之该复晶矽层;及蚀刻上述残余复晶矽层以定义出近似方形复晶矽间隙壁。7.如申请专利范围第6项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层包含氧化层。8.如申请专利范围第7项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之氧化层系利用热氧化法形成。9.如申请专利范围第7项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用HF溶液去除。10.如申请专利范围第7项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用BOE溶液去除。11.如申请专利范围第6项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之罩幕层包含氮化矽。12.如申请专利范围第6项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之绝缘结构包含氧化矽。13.如申请专利范围第6项之在半导体基板上形成近似方形间隙壁之方法,其中上述之氧化矽系利用热氧化形成。14.一种制作近似方形间隙壁之方法,该方法至少包含下列步骤:沈积一薄膜材质于一堆叠结构之上;形成一牺牲层于该薄膜材质之上;去除覆盖于该堆叠结构上端之牺牲层,保留位于侧壁上之牺牲层;蚀刻上述薄膜材质;蚀刻去除全部牺牲层,用以暴露其下之该薄膜材质;及蚀刻上述残余薄膜材质以定义出近似方形间隙壁。15.如申请专利范围第14项之制作近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层包含氧化层。16.如申请专利范围第15项之制作近似方形间隙壁之方法,其中上述之氧化层系利用热氧化法形成。17.如申请专利范围第15项之制作近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用HF溶液去除。18.如申请专利范围第15项之制作近似方形间隙壁之方法,其中上述之牺牲层系利用BOE溶液去除。图式简单说明:图一为根据先前技术在基板上形成复晶矽层于分闸快闪记忆之半导体晶圆剖面图。图二为根据先前技术执行蚀刻形成间隙壁于分闸快闪记忆之半导体晶圆剖面图。图三为根据先前技术执行蚀刻后所呈现之电子显微镜照片。图四为根据本发明之形成悬浮闸极的半导体晶圆剖面图;图五为根据本发明之形成绝缘材料的半导体晶圆剖面图;图六为根据本发明之形成间隙壁于悬浮闸极侧之半导体晶圆剖面图;图七为根据本发明之形成复晶矽层之半导体晶圆剖面图;图八为根据本发明之形成牺牲层之半导体晶圆剖面图;图九为根据本发明之形成方形间隙壁之半导体晶圆剖面图;第十图为根据本发明之电子显微镜照片。 |
