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发明名称 Method for forming a tungsten silicide layer
摘要
申请公布号 GB0206450(D0) 申请公布日期 2002.05.01
申请号 GB20020006450 申请日期 2002.03.19
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人
分类号 C23C16/42;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/28;H01L21/285 主分类号 C23C16/42
代理机构 代理人
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