| 摘要 |
<p>본 발명은 새로운 방법으로 반구형 그레인을 형성하여 제조비용을 감소시킬 뿐만 아니라, 고집적화에 따른 캐패시터 사이의 브리지를 방지한다. 본 발명에 따라, 실리콘을 포함하는 반도체층 상에 실리사이드 형성용 금속막을 증착하고, 금속막이 형성된 반도체층을, 금속막의 금속과 반도체층의 실리콘이 확산되도록 하는 제 1 단계와, 실리콘과 금속을 반응시켜 금속 실리사이드막을 형성하는 제 2 단계와, 금속 실리사이드막의 덩어리를 형성하는 제 3 단계와, 그의 일부는 반도체층 내에 매립되고 그의 다른 부분은 반도체층의 표면위로 노출되어 소정간격으로 이격된 금속 실리사이드막의 클러스터를 형성하는 제 4 단계로 단계적으로 열처리한다. 그리고 나서, 금속 실리사이드막의 클러스터를 제거하여 반도체층 표면에 오목한 형태의 반구형 그레인을 형성한다. 또한, 금속막은 티타늄막 또는 코발트막으로 형성하고, 열처리는 500 내지 1,100℃의 온도영역에서 급속열처리로 진행한다. 바람직하게, 제 1 단계는 500 내지 600℃의 온도에서 15 내지 25초 동안 진행하고, 제 2 단계는 500 내지 600℃의 온도에서 15 내지 25초 동안 질소 또는 아르곤과 같은 불활성기체 분위기에서 진행하고, 제 3 단계는 800 내지 1,000℃에서 25 내지 35초 동안 진행하고, 제 4 단계는 900 내지 1,100℃에서 250 내지 350초 동안 진행한다.</p> |
