| 主权项 |
1.一种电路配置,其包括:至少一种主开关(T1;T2),其具有:一个参考电极(E),一个控制电极(B)及一个工作电极(C);一种无载二极体(D1;D2),其与主电流流动方向相反地并联至每一个主开关(T1;T2),其特征为:每一个主开关(T1;T2)配置一个辅助开关(T11;T22),其工作电极是与所属主开关(T1;T2)之控制电极(B)相连接,其参考电极是与主开关(T1;T2)之参考电极(E)相连接,在辅助开关(T11;T22)之控制电极和主开关(T1;T2)之工作电极(C)之间配置至少一个电容器(C11;C22),在辅助开关之控制电极和参考电极之间须配置一种放电单元(E11;D11;D22),使至少一个电容器(C11;C22)在主开关(T1;T2)由关闭状态转换成接通状态时可放电。2.如申请专利范围第1项之电路配置,其中该放电单元具有一个Shut-Down-输入端(SD),经由此输入端(SD)可施加一种使辅助开关(T11)切换成接通状态之信号。3.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中此放电单元(E11)包含一种电阻。4.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中此放电单元(E11)包含一种放电二极体(D11;D22)。5.如申请专利范围第4项之电路配置,其中此放电二极体(D11;D22)至少与一个电阻串联及/或并联。6.如申请专利范围第4项之电路配置,其中此放电二极体(D11;D22)是Schottky二极体、Zener二极体或pn二极体。7.如申请专利范围第5项之电路配置,其中此放电二极体(D11;D22)是Schottky二极体、Zener二极体或pn二极体。8.如申请专利范围第2项之电路配置,其中此Shut-Down-输入端(SD)是与辅助开关(T11)之控制电极相连接,在Shut-Down-输入端(SD)和辅助开关(T11)之控制电极之间配置一种Shut-Down-极体(DsD),其阴极是与辅助开关之控制电极端相连接。9.如申请专利范围第8项之电路配置,其中此Shut-Down-二极体(DSD)是pn二极体或Schottky二极体。10.如申请专利范围第1项之电路配置,其中此放电单元(E11)具有Sense-输出端,其是与辅助开关(T11)之控制电极相连接,使经由此Sense-输出端可询问主开关及/或辅助开关之开关状态。11.如申请专利范围第10项之电路配置,其中在该Sense-输出端和辅助开关(T11)之控制电极之间配置至少一个电容器(CSH)。12.如申请专利范围第1或第8项之电路配置,其中另有一个抗饱和单元(A11),其配置在辅助开关(T11)之工作电极和控制电极之间且可防止此辅助开关(T11)之控制电极发生饱和现象。13.如申请专利范围第12项之电路配置,其中此抗饱和单元(A11)具有一个抗饱和电阻,其须配置成在此辅助开关(T11)之控制电极达饱和之情况时电荷载体可向外流至此辅助开关之工作电极。14.如申请专利范围第12项之电路配置,其中此抗饱和单元(A11)具有一种抗饱和二极体,其须配置成在此辅助开关(T11)之控制电极达饱和之情况时电荷载体可向外流至此辅助开关之工作电极。15.如申请专利范围第14项之电路配置,其中此抗饱和二极体是pn二极体或Schottky二极体。16.如申请专利范围第14项之电路配置,其中至少一个电阻串联及/或并联至该抗饱和二极体。17.如申请专利范围第1项之电路配置,其中该主开关(T1;T2)是双载子电晶体。18.如申请专利范围第1项之电路配置,其中此主开关(T1;T2)与所属之无载二极体(D1;D2)一起由MOSFET所制成。19.如申请专利范围第1或第8项之电路配置,其中辅助开关(T11;T22)是:双载子电晶体,集极中具有串联二极体之双载子电晶体,MOSFET或汲极中具有串联二极体之MOSFET,其中在使用一种串联二极体时此串联二极体之方向须使电流可在所属之辅助开关(T11;T22)之主电流流动方向中流动。20.如申请专利范围第19项之电路配置,其中此辅助开关(T11;T22)之串联二极体是pn二极体或Schottky二极体。21.一种桥式电路,其具有至少二个如申请专利范围第1至20项中任一项之电路配置,此二个电路配置分别称为第一和第二电路配置(10a,10b),其特征为:此种桥式电路是由第一和第二电路配置(10a,l0b)以下述方式构成:第二电路配置(10b)之主开关(T2)之参考电极是与第一电路配置(10a)之主开关(T1)之工作电极相连接。22.一种自由振荡之振荡电路,其是用来操作一种具有如申请专利范围第21项之桥式电路之负载,其特征为:其具有一种切换控制元件(STR)以便使该负载电流(IMP)可回授(feedback)地传送至第一和第二电路配置(10b,10a)之主开关(T2,T1)之控制电极,每一个主开关(T1;T2)之控制电极分别经由一条连接线而与切换控制元件(STR)相连接,且该二条连接线经由至少一个基极桥接电容器(CBB)而互相连接。23.如申请专利范围第22项之振荡电路,其中此切换控制元件是一种控制变压器(STR)。24.如申请专利范围第22或第23项之振荡电路,其中此基极桥接电容器(CBB)分别直接连接至每一个主开关(T1;T2)之控制电极及/或分别直接连接至该切换控制元件(STR)之面向各别主开关(T1;T2)之控制电极之输出端。图式简单说明:第1a图功率电晶体与无载二极体相连接以定义一些数値,就像先前技艺中已为人所知者一样。第1b图是第1a图之功率电晶体切断过程中此集极电流IC,集极-射极-电压UCE、基极-射极-电压UBE以及基极电流IB之时间曲线。第2a图本发明之电路配置之一种很简单之实施形式。第2b图是第2a图之功率电晶体切断过程中此集极电流IC,集极-射极-电压UCE、基极-射极-电压UBE以及基极电流IB之时间曲线。第3图本发明之电路配置之原理图。第4图放电单元之电路图。第5图具有二个本发明之电路配置之电路图,其例如可用在逆整流器中。第6图是第5图之电路之各种数値之时间曲线。 |
