Herstellungsverfahren von Feldeffekttransistoren in integrierten Halbleiterschaltungen und mit einem derartigen Feldeffekttransistor hergestellte integrierte Halbleiterschaltung

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, der innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung liegt. Wenigstens zwei sich jeweils zwischen einem Sourcebereich (S) und einem Drainbereich (D) erstreckende Gatebereiche (G1, G2) sind in Dickenrichtung eines Substrats (SUB) übereinanderliegend angeordnet, so dass der Platzbedarf der bislang üblichen größeren Feldeffekttransistoren in integrierten Halbleiterschaltungen verringert ist.