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发明名称 Integrated memory with memory cells having a magneto-resistive memory effect
摘要
申请公布号 EP1132917(A3) 申请公布日期 2002.03.27
申请号 EP20010103454 申请日期 2001.02.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHLOESSER, TILL, DR.;THEWES, ROLAND, DR.
分类号 G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H03F1/00;(IPC1-7):G11C11/16 主分类号 G11C11/14
代理机构 代理人
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