| 主权项 |
1.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一氧化层在该基底上;形成一第一罩幕层在该氧化层上;进行一第一离子植入步骤,以形成等距分布之复数个位元线在该基底之中;进行一热制程;形成与该些位元线垂直之复数个字元线在该氧化层上;形成一第二罩幕层在该些字元线上,并暴露出欲编码之一通道;以及进行一第二离子植入步骤在该通道。2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该基底包括一P型矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该氧化层包括以热氧化法形成。4.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该热制程包括快速热氧化法。5.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该第一离子植入步骤包括植入一N型杂质。6.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该字元线包括:在该氧化层上形成一多晶矽层;以及图案化该多晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该第二离子植入步骤包括植入一P型杂质。8.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该第二离植入步骤包括植入一N型杂质。9.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一P型矽基底;形成一氧化层在该P型矽基底上;形成一第一罩幕层在该氧化层上;进行一N型杂质之离子植入步骤,以形成等距分布之复数个位元线在该基底之中;进行一热制程;形成与该些位元线垂直之复数个字元线在该氧化层上;形成一第二罩幕层在该些字元线上,并暴露出欲编码之一通道;以及进行一离子植入步骤在该通道。10.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该氧化层包括以热氧化法形成。11.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该热制程包括快速热氧化法。12.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该字元线包括:在该氧化层上形成一多晶矽层:以及图案化该多晶矽层。13.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该离子植入步骤包括植入一P型杂质。14.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该离子植入步骤包括植入一N型杂质。15.一种降低位元线接面面积的方法,包括:提供一基底;形成一氧化层在该基底上;形成一图案化之光阻层在该氧化层上;进行一离子植入步骤,以形成复数个位元线在该基底之中;以及进行一热制程。16.如申请专利范围第15项所述之降低位元线接面面积的方法,其中形成该氧化层包括以热氧化法形成。17.如申请专利范围第15项所述之降低位元线接面面积的方法,其中该热制程包括一快速热氧化法。图式简单说明:第1图为习知一种罩幕式唯读记忆体之制造流程剖面图;以及第2A图至第2C图是依照本发明一较佳实施例之罩幕式唯读记忆体之制造流程剖面图。 |
