发明名称 低压运算放大器及方法
摘要 低压运算放大器(10)在0℃到70℃的温度范围及1到8伏的电压范围内工作。运放输入级(12)使用N沟道耗尽型MOSFET来提供差分输入的放大并且保持恒定的跨导。源跟随器MOSFET(13)在传输交流信号STAGE-1 OUTPUT到电流吸收晶体管(18)的基极时提供单位增益。吸收控制电路(14)和源控制电路(22)在晶体管(18)和(24)中产生基极驱动电流。一个输出级提供大约50毫安的吸收电流和源电流。$#!
申请公布号 CN1081407C 申请公布日期 2002.03.20
申请号 CN97104514.3 申请日期 1997.03.18
申请人 半导体元件工业有限责任公司 发明人 罗伯特·N·多森;理查德·S·格里菲蒂;托马斯·D·佩蒂;罗伯特·L·维纳
分类号 H03F3/45 主分类号 H03F3/45
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 蒋世迅
主权项 1.一种低压运算放大器,包括:输入级,具有被连接用于接收输入信号的一个输入端,且具有一个输出端,该输入级包含:第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有一个源极端子,一个漏极端子和一个栅极端子;和第二耗尽型MOSFET,具有一个源极端子,一个漏极端子,和一个栅极端子,其中第一和第二耗尽型MOSFET的源极端子被共同连接,以形成一个差分对,并且栅极端子用作该差分对的差分输入端;源极跟随器,具有一个栅极端子,一个漏极端子,和一个源极端子,其中该源极跟随器的栅极端子被连接到输入级;偏置电路,具有一个输入端,连接到源极跟随器的源极端子,其中该偏置电路提供第一偏置输出信号和第二偏置输出信号;及输出驱动级,连接到偏置电路且连接到源极跟随器的源极端子,其中该输出驱动级接收第一偏置输出信号和第二偏置输出信号,并且提供一个输出信号。
地址 美国亚利桑那