发明名称 介电陶瓷组合物的制造方法
摘要 本发明涉及高频电介质Ba(Zn<SUB>1/3</SUB>Ta<SUB>2/3</SUB>)O<SUB>3</SUB>(BZT)的制造方法。与现有方法相比工艺简单,且制造的BZT具有高品质因数(Q值)和介电常数,温度系数为0,可用于移动通讯站的过滤器。在纯BZT中加入少量Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>、TiO<SUB>2</SUB>、SnO<SUB>2</SUB>等3+和4+离子,解决了因Zn挥发造成的烧结困难问题。此外用本发明制造的BZT的Q值在200,000以上,与100,000左右Q值的BZT相比Q值明显增加,同时具有介电常数在28.5以上、温度系数为0的优良介电特性。
申请公布号 CN1340477A 申请公布日期 2002.03.20
申请号 CN01116183.3 申请日期 2001.05.29
申请人 阿莫泰克有限公司 发明人 南山;崔畅学;梁桢仁;丁浚焕;金炳圭;李确周
分类号 C04B35/495;C04B35/453;H01B3/12 主分类号 C04B35/495
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 武玉琴;朱登河
主权项 1.Ba(Zn1/3Ta2/3)O3介电陶瓷组合物的制造方法,其特征为,包括以下步骤:以BaCO3、Ta2O3和ZnO粉末为主要原料,把它们混合后合成Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末;在上述Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末中,添加从Al2O3、Ga2O3、ZrO2、TiO2、SnO2粉末中选择出来的至少一种氧化物并进行混合;把上述混合物进行烧结。
地址 韩国京畿道
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