基于调整阴极导电率的超高密度信息存储器

摘要

信息存储器件(100)包括阴极导电介质(104)和与介质(104)接触的电极对(106和108)。数据存储区域位于电极对(106和108)之间的区域内。通过在电极(106和108)之间产生一个电场,电子束扫描穿过存储区,并监测载流子产生的阴极电流,可以对电极对(106和108)之间的数据存储区进行读操作。阴极电流量的改变表示存储区的状态。可以通过电子发射极(118)或近场光源来提供能量束。

主权项

1.一种存储器件(100)包括：有阴极导电介质(104)的存储介质和一对与阴极导电介质(104)接触的间隔电极(106，108)，数据存储区域处于电极(106，108)之间；和与存储区相连的至少一个能量束源(118)；电极(106，108)，对存储区域的存储区(110，112，114，116)上进行读操作期间，适于接收一个电压，该电压产生穿过存储区的电场(E)。