A METHOD OF CONTROLLING FLASH MEMORY AND A FLASH MEMORY CHIP
摘要
<p>복수의 플래시 메모리 셀로 구성되는 데이터의 소거나 기록이 이루어지는 기억 단위 군에 대해 정보 데이터의 변경을 행하는 단계와, 기억 단위 군에 대해 행해진 정보 데이터의 변경이 정상적으로 행해지고 있지 않은 에러의 유무를 검사하는 단계와, 검사 결과, 에러가 있다고 판단된 경우에, 에러의 정정이 가능하다면, 기억 단위군에 대해 행해진 데이터의 변경이 정상적으로 행해졌다고 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p>
