| 摘要 |
<p>본 발명은 카본 나노튜브를 이용하기에 적합한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 카본 나노튜브를 이용한 전계방출소자의 제조방법은 기판 상에 음극, 카본 나노 튜브가 성장되지 않는 금속의 전도층 및 카본 나노 튜브가 성장되는 금속의 촉매전이금속층을 적층하는 단계와, 촉매전이금속층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 전도층 및 촉매전이금속층을 동시에 등방성 에칭함으로써 마스크패턴 하부에 전도층과 촉매전이금속층이 적층되고 하부보다 상부가 작은 구조물을 형성하는 단계와, 마스크패턴의 상부와 구조물의 주변에 절연물질층과 게이트금속층을 적층하는 단계와, 마스크패턴을 제거하여 마스크패턴 상의 절연물질층과 게이트금속층을 제거함과 동시에 구조물의 주변에 위치한 절연물질층의 일부를 에칭하는 단계와, 구조물의 촉매전이금속층 상에 카본 나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 전도층 및 촉매전이금속층을 이용하여 카본 나노튜브를 셀중앙에 집속하여 형성할 수 있으므로 게이트전극으로부의 전계를 카본 나노튜브 이미터에 균일하게 집중시킬 수 있게 된다.</p> |
