| 摘要 |
<p>플라즈마 공정 진행시 야기되는 게이트 절연막의 열화를 막을 수 있도록 한 정션 다이오드가 구비된 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에서 제시된 반도체 소자는 트랜지스터의 게이트 라인과 소정 간격 이격된 지점의 기판 내에 정션 다이오드(일방향 혹은 양방향 정션 다이오드)를 형성하되, 상기 다이오드가 금속배선 라인과 접속된 게이트 라인과는 전기적으로 분리되고, 금속배선 라인 일측의 더미 금속 패턴(dummy metal pattern)과는 도전성 플러그를 통해 전기적으로 연결되도록 설계된다. 그 결과, 플라즈마 식각 공정을 이용하여 배선 라인을 형성하는 과정에서 불균일한 차지(플라즈마 차지)가 생성되더라도 이를 상기 다이오드를 이용하여 모두 기판쪽으로 흘려 보낼 수 있게 되므로, 게이트 절연막 내에 플라즈마 차지가 갇히는 현상이 야기되는 것을 막을 수 있게 되어 게이트 절연막의 열화를 방지할 수 있게 된다.</p> |
