发明名称 | 光接收元件 | ||
摘要 | 光接收元件包括:第一导电类型的半导体衬底;形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层;至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域,其中,形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层的深度Xd与第一导电类型的半导体区域对第一导电类型半导体衬底的扩散深度Xj之间的关系设置成在施加一个反向偏压时满足Xd≥Xj。$#! | ||
申请公布号 | CN1080938C | 申请公布日期 | 2002.03.13 |
申请号 | CN96120192.4 | 申请日期 | 1996.09.26 |
申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 福永直树;久保胜 |
分类号 | H01L27/146;H01L31/103 | 主分类号 | H01L27/146 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种光接收元件,其特征在于包括:第一导电类型的半导体衬底;形成于第一导电类型半导体衬底表面的预定区域的第二导电类型的第一半导体层;以及至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面从而将第二导电类型的第一半导体层划分为若干第二导电类型的半导体区域的第一导电类型半导体区域,其特征在于,形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层的深度Xd与第一导电类型的半导体区域对第一导电类型半导体衬底的扩散深度Xj之间的关系设置成在施加一个反向偏压时满足Xd≥Xj的关系。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |