| 主权项 |
1.一种动态CMOS位准转换电路装置,可将一数位电子系统中,一第一逻辑族系之具有较低电压位准之一第一信号,转换为一第二逻辑族系之较高电压位准之第二信号,该转换电路装置包含有:一第一电晶体配对,包含有串联连接的一第一PMOS电晶体与一第一NMOS电晶体;一第二电晶体配对,包含有串联连接的一第二PMOS电晶体与一第二NMOS电晶体;一电源关闭控制PMOS电晶体;其中该第一与第二电晶体配对系并联连接,且该并联连结再与该电源关闭控制PMOS电晶体串联连接于该系统之电源与接地电位之间,其中该控制PMOS电晶体系被连接于电源端,且该第一与第二NMOS电晶体系被连接于接地端;该第一电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第二PMOS电晶体之闸极,且该第二电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第一PMOS电晶体之闸极;且该第一NMOS电晶体之闸极系作为该输入逻辑族系之信号输入;该第一PMOS电晶体之闸极系作为该转换电路装置之转换信号输出;且该电源关闭控制PMOS电晶体之闸极系由一电源关闭控制信号所控制,以将该第一与第二PMOS电晶体关闭,并持续关闭足够该第一与第二NMOS电晶体完成转态所须之时间。2.如申请专利范围1项之转换电路装置,其更包含有一第一反相器与一第二反相器,其中该第一与第反相器系串联连接,该第一反相器之输入系被连接至该输出,且该第一反相器之输出与该第二反相器之输出产生该转换输出之一对互补信号。3.一种动态CMOS位准转换电路装置,可将一数位电子系统中,一第一逻辑族系之具有较低电压位准之一第一信号,转换为一第二逻辑族系之较高电压位准之第二信号,该转换电路装置包含有:一第一电晶体配对,包含有串联连接的一第一PMOS电晶体与一第一NMOS电晶体;一第二电晶体配对,包含有串联连接的一第二PMOS电晶体与一第二NMOS电晶体;一电源关闭控制PMOS电晶体;与一第一反相器与一第二反相器;其中该第一与第二电晶体配对系并联连接,且该并联连结再与该电源关闭控制PMOS电晶体串联连接于该系统之电源与接地电位之间,其中该控制PMOS电晶体系被连接于电源端,且该第一与第二NMOS电晶体系被连接于接地端;该第一电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第二PMOS电晶体之闸极,且该第二电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第一PMOS电晶体之闸极;且该第一NMOS电晶体之闸极系作为该输入逻辑族系之信号输入;该第一PMOS电晶体之闸极系被连接至该第一反相器之输入;该第一反相器之输出系被连接至该第二反相器之输入;该第二反相器输出系作为该转换电路装置之转换信号输出;且该电源关闭控制PMOS电晶体之闸极系由一电源关闭控制信号所控制,以将该第一与第二PMOS电晶体关闭,并持续关闭足够该第一与第二NMOS电晶体完成转态所须之时间。4.如申请专利范围3项之转换电路装置,其更包含有一第三NMOS电晶体,其中该第三NMOS电晶体之汲极与源极系分别被连接至该第一反相器之输入与该系统之接地电位。5.如申请专利范围3项之转换电路装置,其更包含有一电阻,该电阻系被连接于该第一反相器之输入与该系统之接地电位之间。6.一种动态CMOS位准转换电路装置,可将一数位电子系统中,一第一逻辑族系之具有较低电压位准之一第一信号,转换为一第二逻辑族系之较高电压位准之第二信号,该转换电路装置包含有:一第一电晶体配对,包含有串联连接的一第一PMOS电晶体与一第一NMOS电晶体;一第二电晶体配对,包含有串联连接的一第二PMOS电晶体与一第二NMOS电晶体;一电源关闭控制PMOS电晶体;一第一反相器与一第二反相器;与一第三NMOS电晶体;其中该第一与第二电晶体配对系并联连接,且该并联连结再与该电源关闭控制PMOS电晶体串联连接于该系统之电源与接地电位之间,其中该控制PMOS电晶体系被连接于电源端,且该第一与第二NMOS电晶体系被连接于接地端;该第一电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第二PMOS电晶体之闸极,且该第二电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第一PMOS电晶体之闸极;且该第一NMOS电晶体之闸极系作为该输入逻辑族系之信号输入;该第一PMOS电晶体之闸极系被连接至该第一反相器之输入;该第一反相器之输出系被连接至该第二反相器之输入;该第二反相器之输出系作为该转换电路装置之转换信号输出;该第三NMOS电晶体之汲极与源极系分别被连接至该第一反相器之输入与该系统之接地电位;且该电源关闭控制PMOS电晶体之闸极系由一电源关闭控制信号所控制,以将该第一与第二PMOS电晶体关闭,并持续关闭足够该第一与第二NMOS电晶体完成转态所须之时间。7.如申请专利范围1项之转换电路装置,其更包含有一第三PMOS电晶体,其被连接于该系统之电源位准与该电源关闭控制PMOS电晶体之间。8.一种动态CMOS位准转换电路装置,可将一数位电子系统中,一第一逻辑族系之具有较低电压位准之一第一信号,转换为一第二逻辑族系之较高电压位准之第二信号,该转换电路装置包含有:一第一电晶体配对,包含有串联连接的一第一PMOS电晶体与一第一NMOS电晶体;一第二电晶体配对,包含有串联连接的一第二PMOS电晶体与一第二NMOS电晶体;一第三PMOS电晶体;与一电源关闭控制PMOS电晶体;其中该第一与第二电晶体配对系并联连接,且该并联连结再与该电源关闭控制PMOS电晶体以及该第三PMOS电晶体串联连接于该系统之电源与接地电位之间,其中该第三PMOS电晶体系被连接于电源端,且该第一与第二NMOS电晶体系被连接于接地端;该第一电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第二PMOS电晶体之闸极,且该第二电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第一PMOS电晶体之闸极;且该第一NMOS电晶体之闸极系作为该输入逻辑族系之信号输入;该第一PMOS电晶体之闸极系作为该转换电路装置之转换信号输出;且该电源关闭控制PMOS电晶体之闸极系由一电源关闭控制信号所控制,以将该第一与第二PMOS电晶体关闭,并持续关闭足够该第一与第二NMOS电晶体完成转态所须之时间。9.如申请专利范围8项之转换电路装置,其中该第三PMOS电晶体系为一常定电流源。10.一种动态CMOS位准转换电路装置,可将一数位电子系统中,一第一逻辑族系之具有较低电压位准之一第一信号,转换为一第二逻辑族系之较高电压位准之第二信号,该转换电路装置包含有:一第一电晶体配对,包含有串联连接的一第一NMOS电晶体与一第一PMOS电晶体;一第二电晶体配对,包含有串联连接的一第二NMOS电晶体与一第二PMOS电晶体;与一电源关闭控制NMOS电晶体;其中该第一与第二电晶体配对系并联连接,且该并联连结再与该电源关闭控制NMOS电晶体串联连接于该系统之电源与接地电位之间,其中该控制NMOS电晶体系被连接于电源端,且该第一与第二PMOS电晶体系被连接于接地端;该第一电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第二PMOS电晶体之闸极,且该第二电晶体配对之该些电晶体的汲极互相连接之节点,亦被连接至该第一PMOS电晶体之闸极;且该第一PMOS电晶体之闸极系作为该输入逻辑族系之信号输入;该第一NMOS电晶体之闸极系作为该转换电路装置之转换信号输出;且该电源关闭控制NMOS电晶体之闸极系由一电源关闭控制信号所控制,以将该第一与第二NMOS电晶体关闭,并持续关闭足够该第一与第二PMOS电晶体完成转态所须之时间。图式简单说明:图1为一电路图,其中显示可为一数位系统中之两种逻辑提供电压转换的一种习知技术位准转换电路;图2为一电路图,其中显示本发明第一种实施例之动态位准转换电路装置;图3为一时序图,其中显示图2之转换电路装置,其额外控制电晶体之输入,输出及控制信号的切换波形;图4显示本发明第二实施例之转换电路装置之电图,其中具有采用了反相器的,经互补转换的输出信号;图5显示本发明另一实施例之转换电路装置之电路图,其可避免其反相器之浮动输入的状态;图6显示本发明又一实施例之转换电路装置之电路图,其系特别适于在信号电压差特别大的两逻辑族系之间进行信号转换的用途;与图7为一电路图,其中显示依据本发明之观念之一转换电路装置,其可适于将数位信号转换为负値电压的用途。 |
