多腔室处理装置(二)

摘要

本创作「多腔室处理装置(二)」，其用于实施于半导体晶圆上的蚀刻过程、化学蒸气沉积(CVD)过程或其他相似过程。由俯视图观之其下部分所显示的五个阶段形成一个卡式阶段。备置在相邻于该卡式阶段的大室是一个载入器室。三个递送室，其中每个有一个递送机制，如递送臂，则备置在相邻于该载入器室。一个有蚀刻机制等的处理室则备置在相邻于每个递送室。在俯视图的上部分，显示有一个基台，而电力供应系统与气体供应机制便备置在其上。维修人员可爬上该基台以在该处理室上执行维修工作。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

主权项

一种如图所示「多腔室处理装置(二)」之形状。 图式简单说明: 第1图所示系本创作之立体图; 第2图所示系本创作之前视图; 第3图所示系本创作之后视图; 第4图所示系本创作之左侧视图; 第5图所示系本创作之右侧视图; 第6图所示系本创作之俯视图;以及 第7图所示系本创作之仰视图。