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<p>Die Erfindung betrifft eine Kompositstruktur für elektronische Mikrosysteme sowie ein Verfahren zur Herstellung der Kompositstruktur, wobei die Kompositstruktur eine polykristalline Diamantschicht (4) zur Wärmeableitung aufweist. Das Wachstumssubstrat (1) beinhaltet oder bildet eine Komponentenschicht (2) mit den elektronischen Mikrosystemen, die binäre oder höherkomponentige Verbindungshalbleiter aufweist. Zwischen der Komponentenschicht (2) und der Diamantschicht (4) wird eine Schutzschicht (3) angeordnet, die die Komponentenschicht (2) zumindest mittelbar vollständig umschließt. Damit die Schutzschicht (3) ausreichende Wirkung entfaldet, wird sie mit einer ursprünglichen Schichtdicke von mindestens 20 nm, bevorzugt mindestens 50 nm und besonders bevorzugt mindestens 100 nm aufgetragen.</p> |
