| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Trench-IBGT, bei dem zur Verringerung der Rückwirkungskapazität der Trench lediglich im Bereich des aktiven MOS-Kanales mit einem Gateoxidfilm (7) und sonst mit einer im Vergleich zu der Schichtdicke des Gateoxidfilmes (7) wenigstens dickeren Isolierschicht (17) ausgekleidet ist.</p> |
