存储器的电容器下电极的制造方法

摘要

一种存储器的电容器下电极的制造方法,用于基底,其上已形成第一绝缘层,此方法是,在第一绝缘层中形成自行对准接触窗开口,其暴露出基底上的导电区域,再在第一绝缘层上与其开口中形成第一导体层,其底部作为接触窗。以第二绝缘层填满自行对准接触窗开口,再回蚀第一导体层,以完全除去第一导体层,并继续除去第一导体层至特定深度。在自行对准接触窗开口内的第一与第二绝缘层的侧壁形成第二导体层,即为电容器下电极。

主权项

1.一种存储器的电容器下电极的制造方法，适用于一基底，该基底上已形成有一第一绝缘层，该方法包括下列步骤：在该第一绝缘层中形成一自行对准接触窗开口，该自行对准接触窗开口暴露出该基底上的一导电区域；在该第一绝缘层上与该自行对准接触窗开口中形成共形的一第一导体层；以一第二绝缘层填满该自行对准接触窗开口；回蚀该第一导体层，以完全除去该自行对准接触窗开口之外的该第一导体层，并继续除去该自行对准接触窗开口内的该第一导体层至一特定深度；以及在该自行对准接触窗开口内的该第一绝缘层与该第二绝缘层的侧壁形成一第二导体层，该第二导体层作为一电容器下电极。