集成电路晶片承载盘及其制造方法

摘要

一种集成电路晶片承载盘的制造方法，包括步骤：将熔融塑料射入承载盘的模穴中；预设压力值；将气体增压至预设压力值；预测熔融塑料的状态；将气体射入模穴中；将气体排放至下一个压力值，再将其与模穴形成通路，并进行保压；排放气体至大气压力。集成电路晶片承载盘包括：一封闭的外框架；相互间隔地设于外框架内的助条，沿肋条长度方向设有封闭的第一气道。至少二个容置区，由外框架与肋条界定，没容置区下方，设有支持晶片的支撑板。$#!

主权项

1、一种集成电路晶片承载盘的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)将熔融塑料以对称位置射入晶片承载盘的模穴中；(2)预设至少二段压力数值；(3)将一种气体增压至其中之一的预设压力值，并控制其体积；(4)预测或分析出熔融塑料于该模穴中的分布状况；(5)将预设压力值的气体以对称位置，射入已充填塑料的模穴中，经一定时间而停止；(6)将该具预设压力值的气体排放至己预先调整的下一次压力值，再将具有下一次压力值的气体与所述模穴连成为通路，经一定时间而停止，以进行保压；(7)排放气体直至与大气压力相同而停止；(8)打开模具，形成IC晶片承载盘。