发明名称 晶片安装方法及装置
摘要 本发明提供晶片安装方法及装置,在晶片2形成可弹性或塑性变形之突起部22,在基板20预先附加按着剂24,使晶片2接近基板20,使突起部22压着在基板20之电极23,和使按着剂24展开在晶片2和基板20之间,当突起部22压着到电极23时,控制头部之高度,利用突起部22之弹性或塑性变形用来吸收突起部22和电极23之间之压着状态之变化。可以适当的吸收基板等之尺寸之变化,可以迅速的控制头部之高度,和可以大幅的缩短接合时间。另外,在分开为暂时接合工程和真正接合工程之情况时,暂时接合工程之时间可以大幅的缩短,晶片压接工程全体之间歇时间可以大幅的缩短。
申请公布号 TW478080 申请公布日期 2002.03.01
申请号 TW089128116 申请日期 2000.12.28
申请人 东丽工程股份有限公司 发明人 山内朗
分类号 H01L21/603 主分类号 H01L21/603
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种晶片安装方法,其特征是在晶片和基板之至少一方形成可弹性或塑性变形之突起部,在另外一方形成电极,对基板预先附加接着剂,使晶片接近基板,使上述之突起部压着在电极,和使上述之接着剂在晶片和基板之间展开,在突起部之压着到电极时,控制用以保持晶片之头部之高度,利用突起部之弹性或塑性变形用来吸收突起部和电极之间之压着状态之变化。2.如申请专利范围第1项之晶片安装方法,其中经由预先在基板上涂布接着剂或黏贴接着膜用来使基板具有上述之接着剂,当使上述之晶片接近基板时,在使上述之突起部接触电极之后,使上述之接着剂展开在该突起部和电极之周围。3.如申请专利范围第1项之晶片安装方法,其中上述之突起部由可弹性变形之突起部构成,当使突起部压着到电极时,利用突起部之弹性变形用来吸收突起部和电极之间之压着状态之变化,和使上述之接着剂展开在突起部和电极之周围,在突起部压着在电极之期间,利用突起部之弹性力,保持该压着状态和吸收晶片与基板间之距离之变动。4.如申请专利范围第1项之晶片安装方法,其中预先记忆用以保持基板之载物台之弯曲,在每一个晶片之安装位置,控制该头部之高度。5.如申请专利范围第1项之晶片安装方法,其中上述之接着剂使用在硬化时具有收缩特性之接着剂,在暂时接合工程进行上述突起部和电极之压着和接着剂之展开,在使接着剂硬化之真正接合工程使用加热炉或/和紫外线照射炉。6.一种晶片安装装置,其特征是具有:至少可控制高度之头部,用来保持形成有可弹性或塑性变形之突起部或电极;和载物台,用来保持形成有电极或可弹性或塑性变形之预先附加有接着剂之基板;具备有避开机构,当上述之晶片压着在上述之基板时,于产生大于预定之压力之不良压力之情况,使上述之头部依照反压着方向避开。7.如申请专利范围第6项之晶片安装装置,其中组合有:暂时接合装置部,具备有头部,用来暂时接合晶片和基板;和真正接合装置部,具备有利用加热或/和紫外线照射之接合装置。8.如申请专利范围第7项之晶片安装装置,其中上述之真正接合装置具有利用加热或/和紫外线照射之接合装置,其数目多于上述之暂时接合装置部之头部。图式简单说明:图1是本发明之一实施态样之晶片安装装置之概略构造图。图2是用来表示本发明之一实施态样之晶片安装方法之晶片安装前之状态的概略侧面图。图3是用来表示突起部和基板之电极接触后之状态的概略纵向剖面图。图4是用来表示使突起部弹性变形压着在电极之状态的概略纵向剖面图。图5是用来表示从图4之状态将晶片更进一步压入之状态的概略纵向剖面图。图6是用来表示使暂时接合工程和真正接合工程分离之情况之一实例的概略构造图。图7A和7B是用来将接着剂涂布在基板全面之情况之压着工程的概略构造图。图8是用来表示图1之装置中之避开一定以上之压力之机构部之变化例的概略构造图。图9是用来表示习知之压着工程的概略构造图。
地址 日本
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