| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 집적회로 공정에 있어서 접촉구의 형성 방법에 관한 것으로서, 게이트와 소오스/드레인을 포함하는 반도체 소자 및 소자 분리 영역으로서의 필드 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판 위에 질화막을 증착하고 패터닝하여, 필드 산화막 위에 식각 방지용 버퍼층인 질화막 블럭을 형성한다. 다음, PMD 산화막을 증착하고, 그 위에 감광막을 도포한 다음 패터닝하여, 접촉구 형성을 위한 감광막 패턴을 형성한다. 이 감광막 패턴을 마스크로 하여 PMD 산화막을 식각함으로써 접촉구를 형성한다. 본 발명에서는 접촉구 형성을 위한 마스크 패턴인 감광막 패턴의 오정렬이 발생하더라도 산화막과 식각 선택비를 갖는 질화막 블럭이 필드 산화막 위에 형성되어 있으므로, 필드 산화막이 유실되는 것을 막을 수 있다. 따라서 다이오드의 누설 전류를 방지할 수 있다. 또한 접촉구 형성시 PMD 산화막의 식각만으로 접촉구 형성이 가능하므로 질화막의 식각에 따른 폴리머 발생을 감소시켜 접촉 저항 특성을 개선할 수 있다.</p> |
